[发明专利]量子点发光材料及其制备方法、防伪元件和安全文件有效
申请号: | 202110827363.2 | 申请日: | 2021-07-21 |
公开(公告)号: | CN113604217B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 叶蕾;林旷野;王斌;刘萃;陈韦;陈庚;欧阳苏阳;古克 | 申请(专利权)人: | 中钞印制技术研究院有限公司;中国印钞造币集团有限公司 |
主分类号: | C09K11/65 | 分类号: | C09K11/65;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;G09F3/02 |
代理公司: | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 汪海屏;胡晓明 |
地址: | 100070 北京市丰*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子 发光 材料 及其 制备 方法 防伪 元件 安全 文件 | ||
1.一种量子点发光材料的制备方法,其特征在于,包括:
步骤S100:将丙烯酸和乙二胺溶于水,在第一设定条件下反应获得第一溶液;
步骤S102:在所述第一溶液中加入过硫酸铵,在第二设定条件下反应,获得第二溶液;
步骤S104:将所述第二溶液放入聚四氟乙烯反应釜中,在第三设定条件下反应,获得第三溶液;
步骤S106:对所述第三溶液进行透析处理,获得透析溶液;
步骤S108:将所述透析溶液进行冷冻干燥处理,得到固体产物;
步骤S110:烘干所述固体产物,得到量子点发光材料;
其中,在特定激发光源照射的情况下,所述量子点发光材料产生第一发射光,在所述特定激发光源照射关闭后10秒内,所述量子点发光材料产生第二发射光,所述第一发射光与所述第二发射光的波长不一致;
所述第一设定条件包括:丙烯酸和乙二胺的摩尔比为(1~10):1,反应温度大于等于80℃,小于等于90℃,搅拌时长大于等于6h,小于等于12h,反应气氛为惰性气氛;
所述第二设定条件包括:丙烯酸、乙二胺和过硫酸铵的摩尔比为(1~10):1:(0.01~0.1);反应温度大于等于70℃,小于等于80℃,搅拌时长大于等于6h,小于等于12h,反应气氛为惰性气氛;
所述第三设定条件包括:在所述聚四氟乙烯反应釜中的反应温度大于等于150℃,小于等于240℃,反应时长大于等于6h,小于等于24h。
2.根据权利要求1所述的量子点发光材料的制备方法,其特征在于,
所述对所述第三溶液进行透析处理,具体包括:
将所述第三溶液置于透析设备内进行透析处理以获得透析溶液,所述透析处理中的透析时长为12h,所述透析设备内的去离子水每隔4小时更换一次。
3.根据权利要求1所述的量子点发光材料的制备方法,其特征在于,
所述固体产物为冻干产物。
4.根据权利要求3所述的量子点发光材料的制备方法,其特征在于,
所述烘干所述固体产物,具体包括:
在大于等于80℃,小于等于90℃的温度下,对所述冻干产物进行烘干处理,烘干时长大于等于0.5h,小于等于1.5h。
5.根据权利要求1所述的量子点发光材料的制备方法,其特征在于,
所述特定激发光源包括以下任一种:
紫外光源,所述紫外光源所在波段大于等于200nm,小于等于400nm;
可见光源,所述可见光源所在波段大于等于400nm,小于等于750nm;
红外光源,所述红外光源所在波段大于等于750nm,小于等于2600nm。
6.根据权利要求1所述的量子点发光材料的制备方法,其特征在于,
在所述特定激发光源照射的情况下,所述量子点发光材料的第一发射峰的波段大于等于400nm,小于等于800nm,所述量子点发光材料的第二发射峰的波段大于等于400nm,小于等于700nm。
7.根据权利要求6所述的量子点发光材料的制备方法,其特征在于,
所述第一发射峰和所述第二发射峰的波长相差大于5nm。
8.一种量子点发光材料,其特征在于,采用权利要求1至7中任一项所述的量子点发光材料的制备方法制得。
9.一种防伪元件,其特征在于,包括:如权利要求8所述的量子点发光材料。
10.一种安全文件,其特征在于,包括:如权利要求9所述的防伪元件。
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