[发明专利]一种太阳能电池及其钝化接触结构、电池组件及光伏系统

权利要求书

1.一种太阳能电池的钝化接触结构，其特征在于，包括：

设置在硅衬底上的第一钝化接触区域、及设置在所述第一钝化接触区域上的第二钝化接触区域；

所述第一钝化接触区域包括第一掺杂层、第一钝化层、及第二掺杂层，所述第二钝化接触区域包括第二钝化层、及第三掺杂层，所述第一掺杂层、所述第一钝化层、所述第二掺杂层、所述第二钝化层和所述第三掺杂层依次层叠设置；

所述第二钝化接触区域具有开口，使所述太阳能电池的导电层与所述第一钝化接触区域连接。

2.如权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述第一钝化层为孔洞区域中具有所述第一掺杂层和/或所述第二掺杂层的多孔结构。

3.如权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述第二掺杂层与所述第三掺杂层的掺杂极性相反。

4.如权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层的掺杂极性相同。

5.如权利要求2所述的钝化接触结构，其特征在于，所述多孔结构中的孔径小于20um。

6.如权利要求2所述的钝化接触结构，其特征在于，所述多孔结构的非孔洞区域中含有与所述第一掺杂层和/或所述第二掺杂层掺杂类型相同的掺杂剂。

7.如权利要求2所述的钝化接触结构，其特征在于，所述多孔结构的孔洞区域中部分含有所述第一掺杂层和/或所述第二掺杂层。

8.如权利要求2所述的钝化接触结构，其特征在于，所述多孔结构的孔洞区域的面积占所述多孔结构的整体面积的比值小于20%。

9.如权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述第二钝化层的厚度大于所述第一钝化层的厚度。

10.如权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述第一钝化层的厚度为0.5-10nm。

11.如权利要求10所述的钝化接触结构，其特征在于，所述第一钝化层的厚度为0.8-2nm。

12.如权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述第二钝化层的厚度为5-150nm。

13.如权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述第一钝化层和/或所述第二钝化层为氧化层、碳化硅层、及非晶硅层中的一种或多种组合。

14.如权利要求13所述的钝化接触结构，其特征在于，所述氧化层由氧化硅层、氧化铝层中的一层或多层组成。

15.如权利要求13所述的钝化接触结构，其特征在于，所述第一钝化层或所述第二钝化层中的碳化硅层包括氢化碳化硅层。

16.如权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述第一掺杂层的掺杂浓度介于所述硅衬底的掺杂浓度与所述第二掺杂层的掺杂浓度之间。

17.如权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述第一掺杂层的结深小于1.5um。

18.如权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述第一掺杂层为掺杂有Ⅲ族或Ⅴ族元素的掺杂单晶硅层。

19.如权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述第二掺杂层和/或所述第三掺杂层包括掺杂多晶硅层或掺杂碳化硅层或掺杂非晶硅层。