[发明专利]一种太阳能电池及其背面接触结构、电池组件及光伏系统

权利要求书

1.一种太阳能电池的背面接触结构，其特征在于，包括：

间隔设置在硅衬底背面的与所述硅衬底极性相反的第一掺杂区、和与所述硅衬底极性相同的第二掺杂区，所述第一掺杂区上设有保护区；

所述第一掺杂区和所述第二掺杂区均包括第一掺杂层、钝化层、及第二掺杂层；

所述保护区包括绝缘层和与所述第二掺杂区极性相同的第三掺杂层；

所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间设有隔离区；

所述保护区设有开口，以使第一导电层与所述第一掺杂区连接；

所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的高度均高于所述隔离区的高度。

2.如权利要求1所述的背面接触结构，其特征在于，所述第一掺杂区的高度高于所述第二掺杂区的高度。

3.如权利要求1所述的背面接触结构，其特征在于，所述钝化层为孔洞区域中具有所述第一掺杂层和/或所述第二掺杂层的多孔结构。

4.如权利要求3所述的背面接触结构，其特征在于，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区中的其中一者为P型掺杂区，其中另一者为N型掺杂区，所述P型掺杂区中的钝化层的厚度大于所述N型掺杂区中的钝化层的厚度。

5.如权利要求3所述的背面接触结构，其特征在于，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区中的其中一者为P型掺杂区，其中另一者为N型掺杂区，所述P型掺杂区中的钝化层的孔洞密度大于所述N型掺杂区中的钝化层的孔洞密度。

6.如权利要求3所述的背面接触结构，其特征在于，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层的掺杂极性相同。

7.如权利要求2所述的背面接触结构，其特征在于，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的高度差为1-8um。

8.如权利要求1或2所述的背面接触结构，其特征在于，所述第二掺杂区与所述隔离区之间的高度差为0.5-8um。

9.如权利要求3所述的背面接触结构，其特征在于，所述多孔结构中的孔径小于20um。

10.如权利要求3所述的背面接触结构，其特征在于，所述多孔结构的孔洞区域的面积占所述多孔结构的整体面积的比值小于20％。

11.如权利要求3所述的背面接触结构，其特征在于，所述钝化层的厚度为0.5-10nm。

12.如权利要求1所述的背面接触结构，其特征在于，所述钝化层和/或所述绝缘层为氧化层、碳化硅层、及非晶硅层中的一种或多种组合。

13.如权利要求1所述的背面接触结构，其特征在于，所述第一掺杂层的掺杂浓度介于所述硅衬底的掺杂浓度与所述第二掺杂层的掺杂浓度之间。

14.如权利要求1所述的背面接触结构，其特征在于，所述第一掺杂层的结深小于1.5um。

15.如权利要求1所述的背面接触结构，其特征在于，所述第一掺杂层为掺杂有Ⅲ族或Ⅴ族元素的掺杂单晶硅层。

16.如权利要求1所述的背面接触结构，其特征在于，所述第二掺杂层和/或所述第三掺杂层包括掺杂多晶硅层或掺杂碳化硅层或掺杂非晶硅层。

17.如权利要求16所述的背面接触结构，其特征在于，所述第二掺杂层和/或所述第三掺杂层中的掺杂碳化硅层由不同折射率的至少一层掺杂碳化硅膜组成，且各层所述掺杂碳化硅膜的折射率由硅衬底向外依次降低。