[发明专利]用于石墨化炉的石墨坩埚及其制备石墨烯导热膜的方法

权利要求书

1.一种用于石墨化炉的石墨坩埚，其特征在于，包括坩埚体、坩埚盖和插板，所述坩埚体包括至少一个腔室，当坩埚体包括一个腔室时，隔板置于坩埚体内一侧，当坩埚体包括多个腔室时，插板置于坩埚体内，通过插板将坩埚体分成多个腔室。

2.根据权利要求1所述的用于石墨化炉的石墨坩埚，其特征在于，还包括隔板，石墨纸和石墨烯泡沫膜采用一层石墨纸烯泡沫膜一层石墨纸方式堆叠，所述隔板将堆叠的石墨纸和石墨烯泡沫膜隔开，优选地，所述隔板厚度为10-30mm，进一步优选地，隔板厚度为20mm；优选地，隔板的材质为高纯石墨或等静压石墨，进一步优选地，隔板的材质为等静压石墨。

3.根据权利要求1所述的用于石墨化炉的石墨坩埚，其特征在于，所述坩埚体和坩埚盖呈长方体或正方体形，优选地，所述坩埚体为空心长方体或正方体，高度在300-800mm之间，宽度在300-800mm之间，长度在300-1000mm之间，壁厚在20-60mm之间，底部厚度在20-80mm之间，优选地，插板高度300-800mm，长度300-800mm之间。

4.根据权利要求1所述的用于石墨化炉的石墨坩埚，其特征在于，所述坩埚盖底部有凸台，所述坩埚盖的边沿呈T形，坩埚盖的边沿T形固定在坩埚体的顶部，优选地，坩埚盖总厚30-80mm之间，凸台厚度在5-30mm之间。

5.根据权利要求1所述的用于石墨化炉的石墨坩埚，其特征在于，所述坩埚体的材质为高纯石墨、等静压石墨或石墨电极，优选地，坩埚体的材质为等静压石墨；所述插板的材质为高纯石墨、等静压石墨或石墨电极材质，优选地，所述插板的材质为高纯石墨；所述坩埚盖材质为高纯石墨、等静压石墨或石墨电极，优选地，所述坩埚盖材质为等静压石墨。

6.根据权利要求1所述的用于石墨化炉的石墨坩埚，其特征在于，所述坩埚体内部有φ2-8mm的倒角，优选地，倒角尺寸为φ5mm；或/和

所述坩埚体设置有插槽孔，用于连接插板，优选地，插槽孔宽度为5-30mm，深度为10-20mm；或/和

所述插板上设置有孔，用于连接拉动插板的拉具，优选地，所述孔的直径为φ5-15mm直径，进一步优选地，所述孔的直径为φ5mm；优选地，所述拉具为绳索。

7.一种利用权利要求1-6中任一所述用于石墨化炉的石墨坩埚制备石墨烯导热膜的方法，其特征在于，包括：

石墨纸和石墨烯泡沫膜采用一层石墨烯泡沫膜一层石墨纸方式堆叠平铺在坩埚体内部，上端预留设定高度，作为石墨烯泡沫膜石墨化阶段的膨胀空间；

将插板插入在坩埚内；

坩埚盖与坩埚体连接固定；

将坩埚放置在艾奇逊炉中，优选地，艾奇逊炉中放置多个坩埚；

烧制过程结束后，取下坩埚盖，将插板抽出，取出石墨烯泡沫膜；

上述石墨烯泡沫膜经过包括压延的后处理，获得石墨烯导热膜。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：

一层石墨烯泡沫膜和一层石墨纸为一组，设定组数用隔板隔开；

将石墨纸、石墨烯泡沫膜和隔板平铺在坩埚体内部，上端预留设定高度，作为石墨烯泡沫膜石墨化阶段的膨胀空间。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括:坩埚在艾奇逊炉排列成1-6层，优选地，排列为上、下两层；或/和

还包括:将坩埚放置在艾奇逊炉中，与其他负极材料搭烧，优选地，将坩埚放在炉膛中间附近，进一步优选地，放在正中间。

10.一种利用权利要求1-6中任一所述用于石墨化炉的石墨坩埚制备石墨烯导热膜的方法，其特征在于，包括：

采用一层石墨烯泡沫膜一层石墨纸方式堆叠，一层石墨烯泡沫膜和一层石墨纸为一组，每10-60组用隔板板隔开，优选地，每20组用石墨板隔开；

将石墨纸、石墨烯泡沫膜和隔板平铺在坩埚体内部，上端预留0-30mm高度，作为石墨烯泡沫膜石墨化阶段的膨胀空间，优选地，预留10mm高度；

将插板通过坩埚体内侧的插槽孔固定在坩埚内；

坩埚盖通过凸台与坩埚体连接固定；

将坩埚放置在艾奇逊炉中，与其他负极材料搭烧或整炉采用方坩埚烧；方坩埚在艾奇逊炉排列成1-6层，优选地排列为上、下两层；如果采用与其他负极材料搭烧，将方坩埚放在炉膛中间附近，优选地，放在正中间；

烧制过程结束后，取下坩埚盖，将插板通过插板上的孔用拉具抽出，取出石墨烯泡沫膜；

上述石墨烯泡沫膜经过包括压延的后处理，获得石墨烯导热膜。