[发明专利]一种片内集成功率有源电感在审
| 申请号： | 202110829889.4 | 申请日： | 2021-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN113541640A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 万明亮;恽廷华;丁万新 | 申请（专利权）人： | 上海川土微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03H11/12 | 分类号： | H03H11/12 |
| 代理公司： | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人： | 李思琼;冯振华 |
| 地址： | 201306 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成 功率 有源 电感 | ||
1.一种片内集成功率有源电感，其特征在于，包括连接在高压侧输入电源端的高侧有源电感和连接在低压侧输入电源端的低侧有源电感；
所述高侧有源电感包括第一级稳压环路和第二级稳压环路，所述第一级稳压环路中包括第一功率PMOS管，用于控制所述第一功率PMOS管实现等效有源电感，所述第二级稳压环路中包括第二功率PMOS管，用于控制所述第二功率PMOS管输出稳压；
所述低侧有源电感包括第三级稳压环路和第四级稳压环路，所述第三级稳压环路中包括第一功率NMOS管，用于控制所述第一功率NMOS管实现等效有源电感，所述第四级稳压环路中包括第二功率NMOS管，用于控制所述第二功率NMOS管输出稳压。
2.根据权利要求1所述的片内集成功率有源电感，其特征在于，所述第一功率PMOS管的漏极背靠背连接所述第二功率PMOS管的漏极，所述第一功率NMOS管的漏极背靠背连接所述第二功率NMOS管的漏极。
3.根据权利要求2所述的片内集成功率有源电感，其特征在于，所述第一级稳压环路还包括第一运算放大器，所述第一运算放大器的负向端口连接第一电阻和第一电流源，用于形成第一级参考电压，所述第一运算放大器的输出连接第一电容和所述第一功率PMOS管的栅极，所述第一功率PMOS管的漏极连接所述第一运算放大器的正向端口。
4.根据权利要求3所述的片内集成功率有源电感，其特征在于，所述第二级稳压环路还包括第二运算放大器，所述第二运算放大器的负向端口连接第二电阻和第二电流源，用于形成第二级参考电压，所述第二运算放大器的输出连接所述第二功率PMOS管的栅极，所述第二功率PMOS管的源极连接所述第二运算放大器的正向端口。
5.根据权利要求4所述的片内集成功率有源电感，其特征在于，所述第二级稳压环路还包括第三功率PMOS管，所述第三功率PMOS管的源极连接所述第二电阻，漏极与所述第二功率PMOS管的漏极连接。
6.根据权利要求5所述的片内集成功率有源电感，其特征在于，所述第三功率PMOS管的漏极背靠背连接所述第二功率PMOS管的漏极。
7.根据权利要求1至6任一项所述的片内集成功率有源电感，其特征在于，所述第三级稳压环路还包括第三运算放大器，所述第三运算放大器的负向端口连接第三电阻和第三电流源，用于形成第三级参考电压，所述第三运算放大器的输出连接第二电容和所述第一功率NMOS管的栅极，所述第一功率NMOS管的漏极连接所述第一运算放大器的正向端口。
8.根据权利要求7所述的片内集成功率有源电感，其特征在于，所述第四级稳压环路还包括第四运算放大器，所述第四运算放大器的负向端口连接第四电阻和第四电流源，用于形成第四级参考电压，所述第四运算放大器的输出连接所述第二功率NMOS管的栅极，所述第二功率NMOS管的源极连接所述第四运算放大器的正向端口。
9.根据权利要求8所述的片内集成功率有源电感，其特征在于，所述第四级稳压环路还包括第三功率NMOS管，所述第三功率NMOS管的源极连接所述第四电阻，漏极与所述第二功率NMOS管的漏极连接。
10.根据权利要求9所述的片内集成功率有源电感，其特征在于，所述第三功率NMOS管的漏极背靠背连接所述第二功率NMOS管的漏极。
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