[发明专利]存储器件和形成三维（3D）存储器件的方法

权利要求书

1.一种形成三维(3D)存储器件的方法，所述方法包括：

在衬底上方形成层堆叠件，所述层堆叠件包括第一导电材料和第一介电材料的交替层；

形成沟槽，所述沟槽从所述层堆叠件的远离所述衬底的上表面垂直延伸穿过所述层堆叠件至所述层堆叠件的面向所述衬底的下表面；

用存储器膜内衬所述沟槽的侧壁和底部；

在所述存储器膜上方形成沟道材料，所述沟道材料包括非晶材料；

在形成所述沟道材料之后，用第二介电材料填充所述沟槽；

在所述第二介电材料中形成存储器单元隔离区域；

在所述存储器单元隔离区域的相对侧上形成在所述第二介电材料中垂直延伸的源极线(SL)和位线(BL)；以及

在形成源极线和位线之后，使所述沟道材料的第一部分结晶。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述沟道材料的第一部分结晶包括将所述沟道材料的第一部分从非晶材料转变为结晶材料，其中，所述沟道材料的第一部分接触所述源极线或所述位线。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，使所述沟道材料的第一部分结晶包括执行热工艺。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在300℃至400℃之间的温度下执行所述热工艺。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述热工艺之后，所述沟道材料的横向设置在所述源极线和所述位线之间的第二部分保持为非晶材料。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述沟道材料包括铟锌复合氧化物(In_xZn_yM_zO)，其中x、y和z具有介于零和一之间的值，并且M是Ti、Ta、Al、Ga、Si或Mg。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述热工艺之后，所述沟道材料的结晶的第一部分从所述源极线或所述位线延伸到所述存储器膜。

8.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述热工艺之后，所述沟道材料的设置在所述沟道材料的结晶的第一部分与所述存储器膜之间的第三部分保持为非晶材料。

9.一种形成三维(3D)存储器件的方法，所述方法包括：

在衬底上方形成层堆叠件，所述层堆叠件包括与第一介电材料层交错的第一导电材料层；

穿过所述层堆叠件形成沟槽；

在所述沟槽中共形地形成存储器膜；

在所述存储器膜上方于所述沟槽中共形地形成沟道材料，所述沟道材料包括非晶材料；

在共形地形成所述沟道材料之后，用第二介电材料填充所述沟槽；

在所述第二介电材料中形成源极线(SL)和位线(BL)，源极线和位线沿着垂直于所述衬底的主上表面的垂直方向延伸穿过所述层堆叠件；以及

在形成所述源极线和所述位线之后，通过执行热工艺将所述沟道材料的第一部分转变为结晶材料。

10.一种存储器件，包括：

层堆叠件，位于衬底上方，所述层堆叠件包括字线和第一介电材料的交替层；

第二介电材料，嵌入所述层堆叠件中并沿垂直于所述衬底的主上表面的方向在所述层堆叠件中垂直延伸；

源极线(SL)和位线(BL)，位于所述第二介电材料中并垂直延伸穿过所述层堆叠件；

存储器膜，位于所述层堆叠件和所述第二介电材料之间；以及

沟道层，包括沟道材料，其中，所述沟道层的第一部分设置在所述存储器膜和源极线之间或所述存储器膜和位线之间，其中，所述沟道层的第二部分设置在所述存储器膜和所述第二介电材料之间，其中，所述沟道层的第一部分包括所述沟道材料的结晶材料，所述沟道层的第二部分包括所述沟道材料的非晶材料。