[发明专利]一种体声波谐振器及其制作方法在审
申请号: | 202110831867.1 | 申请日: | 2021-07-22 |
公开(公告)号: | CN113328724A | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 张智鹏;杨清华;唐兆云;赖志国 | 申请(专利权)人: | 绍兴汉天下微电子有限公司 |
主分类号: | H03H9/17 | 分类号: | H03H9/17;H03H9/02;H03H3/04 |
代理公司: | 北京允天律师事务所 11697 | 代理人: | 李建航 |
地址: | 312035 浙江省绍兴市越城区皋*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 声波 谐振器 及其 制作方法 | ||
1.一种体声波谐振器的制作方法,其特征在于,包括:
提供衬底,在所述衬底的内部或者表面形成声反射结构;
在所述衬底的一侧形成第一电极,所述第一电极至少部分覆盖所述声反射结构;
在所述第一电极背离所述衬底的一侧形成压电层,所述压电层内部或表面具有温度补偿层和至少一层第一晶格诱导层,所述至少一层第一晶格诱导层设置于所述温度补偿层背离所述衬底的一侧,并且,任一所述第一晶格诱导层与所述压电层的晶格失配度小于所述温度补偿层与所述压电层的晶格失配度;
在所述压电层背离所述衬底的一侧形成第二电极。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述第一电极背离所述衬底的一侧形成压电层,所述压电层内部具有温度补偿层和至少一层第一晶格诱导层,包括:
在所述第一电极背离所述衬底的一侧形成第一子压电层;
在所述第一子压电层背离所述衬底的一侧形成温度补偿层;
在所述温度补偿层背离所述衬底的一侧形成至少一层第一晶格诱导层;
在所述至少一层第一晶格诱导层背离所述衬底的一侧形成第二子压电层,所述第一子压电层和所述第二子压电层形成所述压电层。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在所述第一子压电层背离所述衬底的一侧形成温度补偿层之前,还包括:
在所述第一子压电层背离所述衬底的一侧形成第二晶格诱导层,所述第二晶格诱导层和所述第一晶格诱导层包裹所述温度补偿层,且所述第二晶格诱导层与所述压电层的晶格失配度小于所述温度补偿层与所述压电层的晶格失配度。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述第一电极背离所述衬底的一侧形成压电层,所述压电层表面具有温度补偿层和至少一层第一晶格诱导层,包括:
在所述第一电极背离所述衬底的一侧形成温度补偿层;
在所述温度补偿层背离所述衬底的一侧形成至少一层第一晶格诱导层;
在所述至少一层第一晶格诱导层背离所述衬底的一侧形成压电层,所述压电层至少部分覆盖所述温度补偿层和所述至少一层第一晶格诱导层。
5.根据权利要求1~4任一项所述的方法,其特征在于,所述至少一层第一晶格诱导层包括第1层第一晶格诱导层至第N层第一晶格诱导层,则形成至少一层第一晶格诱导层包括:
在所述衬底指向所述温度补偿层的方向上,依次形成第1层第一晶格诱导层至第N层第一晶格诱导层;
其中,第i层第一晶格诱导层与所述压电层的晶格失配度小于第i-1层第一晶格诱导层与所述压电层的晶格失配度;其中,N为大于1的自然数,i为1和N之间的任一自然数。
6.根据权利要求1~4任一项所述的方法,其特征在于,形成温度补偿层,包括:
形成具有多个网孔的网格状结构的温度补偿层;
或者,形成包括多个子补偿层的温度补偿层,所述多个子补偿层阵列排布;
和/或,形成侧面为倾斜的表面的温度补偿层。
7.一种体声波谐振器,其特征在于,包括:
衬底,所述衬底的内部或者表面设置有声反射结构;
第一电极,所述第一电极设置于所述衬底的一侧,所述第一电极至少部分覆盖所述声反射结构;
压电层,所述压电层设置于所述第一电极背离所述衬底的一侧,所述压电层内部或表面具有温度补偿层和至少一层第一晶格诱导层,所述至少一层第一晶格诱导层设置于所述温度补偿层背离所述衬底的一侧,并且,任一所述第一晶格诱导层与所述压电层的晶格失配度小于所述温度补偿层与所述压电层的晶格失配度;
第二电极,所述第二电极设置于所述压电层背离所述衬底的一侧。
8.根据权利要求7所述的体声波谐振器,其特征在于,还包括第二晶格诱导层,所述第二晶格诱导层位于所述温度补偿层靠近所述衬底的一侧,所述第二晶格诱导层和所述第一晶格诱导层包裹所述温度补偿层,且所述第二晶格诱导层与所述压电层的晶格失配度小于所述温度补偿层与所述压电层的晶格失配度。
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