[发明专利]制造相变化记忆体的方法与相变化记忆体组件

权利要求书

1.一种制造相变化记忆体的方法，其特征在于，包含以下操作：

形成第一晶圆，其中所述第一晶圆包含绝缘体上半导体结构，形成所述第一晶圆的操作包含：

形成绝缘层于衬底上；

形成半导体层于所述绝缘层上以形成所述绝缘体上半导体结构；

在所述半导体层上进行N型与P型半导体掺杂以形成选择器；

形成记忆体材料层于所述绝缘体上半导体结构上；

形成第一金属材料层于所述记忆体材料层上，以形成第一半导体组件；

形成记忆体阵列于所述第一半导体组件中，所述记忆体阵列包含形成于所述记忆体材料层中的多个记忆体单元、形成于所述绝缘体上半导体结构中的多个选择器单元、以及形成于所述第一金属材料层中的多个第一金属区；

形成第二半导体组件，其中所述第二半导体组件包含第二晶圆，所述第二晶圆中包含第一接触区以及第二接触区；

倒装所述第一半导体组件，并接合所述第一半导体组件的第一表面与所述第二半导体组件的第一表面。

2.根据权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，于所述接合的操作之后，还包含以下操作：

去除所述衬底，并暴露出所述绝缘层。

3.根据权利要求2所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，其中去除所述衬底的操作包含：

对所述第一半导体组件的第二表面进行研磨、化学机械抛光和/或蚀刻，并停止于所述绝缘层以暴露出所述绝缘层。

4.根据权利要求2或3所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，其中接合所述第一半导体组件的第一表面与所述第二半导体组件的第一表面的操作还包含：

使所述第一半导体组件的所述第一金属区与所述第二半导体组件的所述第一接触区对准并连接。

5.根据权利要求4所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，于所述去除所述衬底，并暴露出所述绝缘层的操作之后，还包含以下操作：

形成第一接触通孔于所述绝缘层中；

形成第二金属材料层于所述绝缘层中，其中所述第二金属材料层与所述多个选择器单元连接，并通过所述第一接触通孔与所述第二半导体组件的所述第二接触区连接。

6.根据权利要求2或3所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，在进行倒装所述第一半导体组件的操作之前还包含以下操作：

形成第一连接通道于包含所述记忆体阵列的所述第一半导体组件中，其中所述第一连接通道包含电性隔离的第一连接区以及第二连接区，其中所述第一连接区通过第一连接通孔与所述第一金属区连接。

7.根据权利要求6所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，其中接合所述第一半导体组件的第一表面与所述第二半导体组件的第一表面的操作还包含：

使所述第一半导体组件的所述第一连接区和所述第二连接区与所述第二半导体组件的所述第一接触区和所述第二接触区分别对应对准并连接。

8.根据权利要求7所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，于所述去除所述衬底，并暴露出所述绝缘层的操作之后，还包含以下操作：

形成第二接触通孔于所述绝缘层中；

形成第二金属材料层于所述绝缘层中，其中所述第二金属材料层与所述多个选择器单元连接，并通过所述第二接触通孔经由所述第二连接区与所述第二半导体组件的所述第二接触区连接。

9.根据权利要求2或3所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，在进行倒装所述第一半导体组件的操作之前还包含以下操作：

形成第二连接通道于包含所述记忆体阵列的所述第一半导体组件中，其中所述第二连接通道包含通过第二连接通孔与所述第一金属区连接的第三连接区；

形成具有第一厚度的第一氧化物层于所述第一半导体组件的所述第三连接区之上；

形成具有第二厚度的第二氧化物层于所述第二半导体组件的所述第一接触区和所述第二接触区之上。