[发明专利]主辅相合金钐钴磁体材料、烧结体用材料、其制备方法和应用

说明书

本发明公开了一种主辅相合金钐钴磁体材料、烧结体用材料、其制备方法和应用。该烧结体用材料包括主相合金用材料和辅相合金用材料；其中，主相合金用材料的成分为Rsubgt;x/subgt;Fesubgt;y/subgt;Cosubgt;1‑x‑y‑p‑/subgt;subgt;q/subgt;Cusubgt;p/subgt;Msubgt;q/subgt;，R选自Sm、La、Pr、Nd、Gd、Ho、Er、Dy和Tb中的一种或多种，M选自Zr、Ti和Hf中的一种或多种，0.11x0.12，0.25y0.45，0.03p0.055，0.01q0.035，且满足0.05p+q0.11，1.5p/q4.5，7.5(1‑x)/x8.0；辅相合金用材料的成分为REsubgt;1‑u‑v‑w/subgt;Fesubgt;u/subgt;Cusubgt;v/subgt;TMsubgt;w/subgt;，RE选自Sm、Nd、Pr、Dy、Tb、Gd和Ho中的一种或多种，TM选自Al、Sn、Ga和Zn中的一种或多种，u为0.05～0.3，v为0.1～0.25，w为0～0.2，辅相合金用材料的含量为0.2～5wt.％。本发明的钐钴永磁材料具有优异的剩磁、矫顽力和方形度等磁性能以及良好的力学性能。

技术领域

本发明涉及一种主辅相合金钐钴磁体材料、烧结体用材料、其制备方法和应用。

背景技术

在高综合性能钐钴领域，一般采用高Fe含量(Fe20at％)且低Sm、低Cu含量的配方；高的Fe含量可以提高主相的饱和磁化强度，从而获得较高的剩磁，同时低的Sm含量有助于减少磁体中的富稀土相，低的Cu含量可减少富Cu相比例，均有助于提高磁体中的主相比例，进一步使剩磁得到加强。但是Fe含量的增加会使2-17型钐钴磁体在时效时难以形成完整连续的胞状结构，而Sm、Cu元素均为低熔点易挥发元素，在高温烧结过程中易发生大量不均匀蒸发，Sm、Cu元素的降低会使组成胞状结构胞壁相的1-5相(富Cu相)比例不足，分布不完整，尤其在磁体贫铜的晶界区域附近，由于缺乏足够的Sm和Cu元素，无法形成高矫顽力的富Cu的Sm(Co,Cu)5畴壁钉扎相，从而极大地降低了磁体的矫顽力。为了弥补高Fe、低Sm、低Cu高性能磁体配方的上述不足。

CN111145973B公开了一种使用CuO粉末与钐钴粉末混合压制烧结的方法，制造含Cu晶界相的磁体，可以使磁体矫顽力得到提高，但是改方法使用氧化物粉末形成的晶界相不连续，不能将全部晶界包裹，且Cu氧化物无法使铜元素进一步向晶粒内部扩散，对于晶粒内部的胞状结构形成不利；该方法中未考虑Sm含量不足的影响，同时氧化铜粉末的非磁性特征稀释了磁体的磁能积，无法制备具有高剩磁特征的钐钴磁体，且氧化铜粉末在磁体中形成应力集中点，恶化了磁体的力学性能。

CN112017831A公开了一种向钐钴粉末中添加铜基合金纳米线和碳纳米管混合压制的方法制备高韧性钐钴磁体的方法，该方法虽增强了磁体的力学性能，但是碳纳米管引入了高含量的碳杂质，对磁体剩磁以及退磁曲线方形度存在很大劣化，未能实现磁体的磁性能强化。

CN112038083A公开了一种使用低熔点相扩散源涂覆在磁体生坯上进行扩散处理的方法来提高磁体的磁性能，该方法在生坯上涂覆扩散源悬浮液，存在生坯易氧化，操作难度大，扩散源由表面进入磁体深度受限，对磁体的性能提升较小，同时，坯体不同深度上扩散元素存在分布不均匀、有机悬浮液残留量大等问题，磁体退磁曲线的方形度低，无法制备磁能积大于32MGOe的高性能磁体。

发明内容

本发明为了解决现有技术中的上述缺陷，从而提供了一种主辅合金钐钴磁体材料、烧结体用材料、其制备方法和应用。本发明的钐钴永磁材料具有优异的剩磁、矫顽力和方形度等磁性能以及良好的力学性能。

本发明提供了一种主辅相合金钐钴磁体材料的烧结体用材料，其包括主相合金用材料和辅相合金用材料；