[发明专利]带隙基准电路和低失调高电源抑制比带隙基准源有效
申请号: | 202110834943.4 | 申请日: | 2021-07-23 |
公开(公告)号: | CN113359929B | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 乔仕超;刘鑫;武鹏;杨平;牛义;廖志凯;齐旭 | 申请(专利权)人: | 成都华微电子科技股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人: | 刘勋 |
地址: | 610041 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基准 电路 失调 电源 抑制 | ||
1.低失调高电源抑制比带隙基准源,其特征在于,包括带隙基准电路、偏置电路、启动电路和电流比较器;
所述带隙基准电路包括:
第十六MOS管,其栅端接第五参考点,电流输入端接高电平,电流输出端接第十七MOS管的电流输入端;
第十七MOS管,其栅端接第四参考点,电流输出端接基准输出端;
第三三极管,其电流输入端接基准输出端,电流输出端接地,基极接第六参考点,基极和电流输入端之间通过一个电容连接,所述基准输出端接第三参考点;
第二三极管,其电流输入端通过第二电阻接基准输出端,基极作为第七参考点连接电流输入端,其电流输出端接地;
第一三极管,其电流输入端接第六参考点,基极接第七参考点,电流输出端通过第一电阻接地;
所述偏置电路包括:
零号MOS管,其电流输入端接高电平,栅端接第四参考点;
第一MOS管,其电流输入端接零号MOS管的电流输出端,栅端接第四参考点;
第二MOS管,其电流输入端接高电平,栅端接第五参考点;
第三MOS管,其电流输入端接第二MOS管的电流输出端,电流输出端接第五参考点,栅端接第四参考点;
第四MOS管,电流输入端接第四参考点,栅端接第二参考点;
第五MOS管,电流输入端接第五参考点,栅端接第二参考点;
第六MOS管,其电流输入端接高电平,栅端接第五参考点;
第七MOS管,其电流输入端接第六MOS管的电流输出端,栅端接第四参考点,电流输出端接第二参考点,第二参考点通过第十八MOS管接地,第十八MOS管的栅端接第三参考点;
第七三极管,其基极接第三参考点,电流输入端接第四MOS管的电流输出端,电流输出端通过第四电阻和第五电阻接地;
第八三极管,其基极接第三参考点,电流输入端接第五MOS管的电流输出端,电流输出端通过第三电阻和第五电阻接地;
所述启动电路包括:
第八MOS管,其电流输入端接高电平,电流输出端接第二参考点,栅端接第一参考点;
第九MOS管,其电流输入端接高电平,栅端接第一参考点;
第十五MOS管,其电流输入端接高电平,电流输出端接第三参考点,栅端接第一参考点;
第十MOS管,其电流输入端接高电平,电流输出端接第一参考点,栅端接第五参考点,第一参考点通过第六电阻接地;
所述电流比较器包括:
第十一MOS管,其电流输入端接高电平,栅端接第五参考点;
第十二MOS管,其电流输入端接第十一MOS管的电流输出端,栅端接第四参考点;
第十三MOS管,其电流输入端接高电平,栅端接第五参考点;
第十四MOS管,其电流输入端接第十三MOS管的电流输出端,电流输出端接第六参考点,栅端接第四参考点;
第四三极管,其基极接第七参考点,电流输入端接第十二MOS管的电流输出端,电流输出端接地;
第五三极管,其基极和电流输入端接第十二MOS管的电流输出端,电流输出端接地;
第六三极管,其基极接第十二MOS管的电流输出端,电流输出端接地,电流输入端接第六参考点。
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