[发明专利]高介电常数低损耗微波介质陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种高介电常数低损耗微波介质陶瓷，其特征在于：所述陶瓷的介电常数为78～80，Q×f值为13900～15200GHz，谐振频率温度系数为-5～+5ppm/℃。

2.如权利要求1所述的高介电常数低损耗微波介质陶瓷：所述陶瓷的原料组分包括质量分数分别为16％～17％的BaO、28％～29％的Sm₂O₃、15％～16％的Nd₂O₃、38％～39％的TiO₂。

3.如权利要求1所述的高介电常数低损耗微波介质陶瓷：所述陶瓷中还可以包括原料组分0.1％～1.0％的Al₂O₃。

4.如权利要求1所述的高介电常数低损耗微波介质陶瓷：所述陶瓷中还可以包括原料组分0.25％～0.75％的氧化物掺杂剂。

5.如权利要求4所述的高介电常数低损耗微波介质陶瓷：所述氧化物掺杂剂可以为SnO₂、WO₃或TiO₂。

6.权利要求1至5任一项所述高介电常数低损耗微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，包括：

第一步，按照上面的质量百分比例称取除氧化物掺杂剂以外的原料粉体，加入无水乙醇，混合，干燥，过筛，煅烧；对煅烧后的粉体进行球磨、干燥、过筛处理；

第二步，向第一步过筛处理后或的粉体中按比例添加氧化物掺杂剂，球磨、干燥、过筛后加入聚乙烯醇水溶液，研磨造粒，压制成圆柱形坯体；

第三步，坯体经排胶后进行烧结，随后进行退火处理。

7.如权利要求6所述高介电常数低损耗微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于：所述第一步中煅烧温度为1100～1200℃，煅烧时间为2～4时。

8.如权利要求6所述高介电常数低损耗微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于：所述第二步中压制坯体时施加200兆帕的单轴压力。

9.如权利要求6所述高介电常数低损耗微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于：所述第三步中排胶处理温度为600℃，排胶时长为4时；烧结温度为1350～1450℃，烧结气氛为空气或O₂，烧结时间为4～8时；退火温度为1250～1350℃，退火气氛为空气或O₂，退火时间为0～16时。