[发明专利]一种炔基修饰的半导体材料的制备方法和应用

权利要求书

1.一种炔基修饰的半导体材料的制备方法，其特征在于，将半导体材料与金属炔化物置于球磨罐中，并向球磨罐中加入不与半导体材料和金属炔化物反应的溶剂，使溶剂没过钢珠后，在氮气或惰性气体保护下进行球磨，经后处理得到炔基修饰的半导体材料；半导体材料为g-C₃N₄、聚3-己基噻吩、共价三嗪框架或有机金属框架；后处理的过程即依次进行离心、酸洗、去离子水洗、乙醇洗和干燥的过程。

2.根据权利要求1所述的一种炔基修饰的半导体材料的制备方法，其特征在于，半导体材料与金属炔化物的质量比为8:1~2:1。

3.根据权利要求2所述的一种炔基修饰的半导体材料的制备方法，其特征在于，半导体材料与金属炔化物的质量比为4:1。

4.根据权利要求1所述的一种炔基修饰的半导体材料的制备方法，其特征在于，g-C₃N₄半导体材料的制备过程为：将富氮前驱体置于马弗炉中以5~10℃/min的升温速率升温至450~650℃后保温2~6h得到g-C₃N₄半导体材料，富氮前驱体为尿素、三聚氰胺、双氰胺或硫脲。

5.根据权利要求1所述的一种炔基修饰的半导体材料的制备方法，其特征在于，金属炔化物为碱金属炔化物或碱土金属炔化物。

6.根据权利要求5所述的一种炔基修饰的半导体材料的制备方法，其特征在于，碱金属炔化物为碳化锂、碳化钠或碳化钾；碱土金属炔化物为碳化钙或碳化镁。

7.根据权利要求1所述的一种炔基修饰的半导体材料的制备方法，其特征在于，球磨采用数量比为1:1:1:1的直径为2mm、5mm、10mm和20mm的钢珠，钢珠与半导体材料的质量比为2400:1~600:1；球磨的时间为12~24h，转速为400~700r/min。

8.根据权利要求1所述的一种炔基修饰的半导体材料的制备方法，其特征在于，酸洗采用浓度为0.1~2.5mol/L的稀硝酸或稀硫酸溶液；干燥的温度为60~80℃。

9.采用如权利要求1~8任一项所述的一种炔基修饰的半导体材料的制备方法制得的炔基修饰的半导体材料的应用，其特征在于，用于有机染料或抗生素降解。