[发明专利]一种悬浮二维材料异质结的转移方法在审
申请号: | 202110836324.9 | 申请日: | 2021-07-23 |
公开(公告)号: | CN113421845A | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 宋骧骧;马赫;张拙之;秦国铨;郭国平 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/683 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 付丽 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 悬浮 二维 材料 异质结 转移 方法 | ||
1.一种悬浮二维材料异质结的转移方法,包括以下步骤:
A)将多个待转移的二维材料分别转移至对应基底的表面;
在基片表面形成附着层,然后使用中间打孔的胶带将所述附着层撕起,贴于表面粘贴有PDMS粘附层的基片上,得到提物片;
胶带中间的孔与所述PDMS粘附层相对应,且孔的尺寸大于PDMS粘附层的尺寸;
B)使用提物片裸露的附着层对准并依次提取步骤A)中多个基底表面的二维材料,在所述附着层上形成二维材料异质结;
C)用胶带将所述附着层撕起与PDMS粘附层分离,翻转所述附着层使所述二维材料异质结附着在所述PDMS粘附层上,然后移除胶带,利用溶剂将附着层溶解去除,得到依次附着有PDMS粘附层和二维材料异质结的基片;
D)将依次附着有PDMS粘附层和二维材料异质结的基片上的二维材料异质结转移至沟槽两端,形成悬浮结构。
2.根据权利要求1所述的转移方法,其特征在于,所述待转移的二维材料包括石墨烯、氮化硼、二硫化钼、二硒化钨、二硒化铌、硒化铟、黑磷和三碘化铬中的一种或几种;
所述步骤A)中的基底为硅/二氧化硅、硅/三氧化二铝或者硅/二氧化硅/三氧化二铝;
所述步骤A)中的基片为玻璃片或石英片。
3.根据权利要求1所述的转移方法,其特征在于,所述附着层为有机胶层,所述有机胶包括PC、PPC和PMMA中的一种或几种;
所述胶带为单面胶。
4.根据权利要求3所述的转移方法,其特征在于,按照以下步骤形成所述附着层:
将有机胶溶液涂覆在所述基片表面,干燥后形成附着层;
所述有机胶溶液中的溶剂为氯仿或二氯甲烷,所述有机胶溶液的质量浓度为4~10%。
5.根据权利要求1所述的转移方法,其特征在于,所述步骤A)中,将所述附着层贴于表面粘贴有PDMS粘附层的基片时,以80~115℃的温度加热3~8min。
6.根据权利要求1所述的转移方法,其特征在于,所述步骤B)中,将提物片加热至70~120℃,进行提取二维材料。
7.根据权利要求1所述的转移方法,其特征在于,所述步骤C)中,将附着层加热至160~300℃,然后移除胶带;然后将剩余的附着层浸入溶剂中,去除剩余附着层;
所述溶剂为NMP和/或氯仿。
8.根据权利要求1所述的转移方法,其特征在于,所述步骤D)具体为:
将依次附着有PDMS粘附层和二维材料异质结的基片对准目标基片上的沟槽两端,贴紧后加热至40~80℃,然后缓慢分离,完成二维材料异质结的转移,形成悬浮结构。
9.根据权利要求1所述的转移方法,其特征在于,所述步骤A)中,使用机械剥离的方法将多个待转移的二维材料分别转移至对应基底的表面。
10.根据权利要求1~9任意一项所述的转移方法,其特征在于,所述步骤A)~D)中的提取和转移过程在光学显微镜下进行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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