[发明专利]中心对称GaN肖特基二极管

权利要求书

1.一种中心对称GaN肖特基二极管，其特征在于：包括位于中间的第一焊盘（10）以及位于第一焊盘（10）两侧的第二焊盘（11），其中所述第一焊盘（10）与左侧的第二焊盘（11）之间形成有一个肖特基二极管结，所述第一焊盘（10）与右侧的第二焊盘（11）之间形成有一个肖特基二极管结，所述第一焊盘的上表面的中心形成有一条外端悬空的梁式引线（9），所述梁式引线（9）的悬空部分的长度相等。

2.如权利要求1所述的中心对称GaN肖特基二极管，其特征在于：所述肖特基二极管结包括半绝缘GaN衬底层（5），所述半绝缘GaN衬底层（5）上表面的中部形成有钝化层（1），所述钝化层（1）的左右两侧分别形成有重掺杂GaN层（6），左右两侧的所述重掺杂GaN层（6）上内嵌有欧姆接触金属层（3），所述欧姆接触金属层（3）的上表面高于所述重掺杂GaN层（6）的上表面，且所述欧姆接触金属层（3）的面积小于相应侧的重掺杂GaN层（6）的面积，不具有欧姆接触金属层（3）的重掺杂GaN层（6）的上表面形成有低掺杂GaN层（7），所述低掺杂GaN层（7）的高度高于所述欧姆接触金属层（3）的高度，所述欧姆接触金属层（3）的的上表面形成有金属加厚层（4），所述低掺杂GaN层（7）的上表面形成有二氧化硅层（2），且左侧的二氧化硅层（2）上内嵌有肖特基接触金属层（8），且所述肖特基接触金属层（8）与所述低掺杂GaN层（7）相接触，所述金属加厚层（4）的高度高于所述二氧化硅层（2）的高度，右侧的金属加厚层（4）通过金属空气桥（9）与所述肖特基接触金属层（8）连接。

3.如权利要求2所述的中心对称GaN肖特基二极管，其特征在于：所述梁式引线位于左侧的金属加厚层（4）的上表面上。

4.如权利要求2所述的中心对称GaN肖特基二极管，其特征在于：所述钝化层（1）为二氧化硅、氮化硅或金刚石。

5.如权利要求2所述的中心对称GaN肖特基二极管，其特征在于：所述欧姆接触金属层（3）自下而上为Ti层、Al层Ni层和Au层。

6.如权利要求2所述的中心对称GaN肖特基二极管，其特征在于：所述金属加厚层（4）的成分为Au。

7.如权利要求2所述的中心对称GaN肖特基二极管，其特征在于：所述肖特基接触金属层（8）自下而上为Ti层、Pt层和Au层。