[发明专利]基于涂覆抗反射涂层的层状堆叠结构的级联折射率传感器

权利要求书

1.基于涂覆抗反射涂层的层状堆叠结构的级联折射率传感器，其特征在于，包括载物平台和设置在所述载物平台上的信号发射器、磁场发生器、角度控制旋转台、耦合器、层状堆叠结构、微型电机和光谱分析仪；所述信号发射器、磁场发生器、角度控制旋转台、耦合器和光谱分析仪分别与微型电机电连接；所述耦合器与光谱分析仪连接；所述角度控制旋转台和耦合器分别与层状堆叠结构连接；所述层状堆叠结构包括主体结构和位于主体结构两端的抗反射涂层；所述主体结构包括依次排列的介质A₁和介质InSb₁；所述抗反射涂层包括依次排列的介质InSb₂、介质A₁和介质A₂。

2.根据权利要求1所述的基于涂覆抗反射涂层的层状堆叠结构的级联折射率传感器，其特征在于，所述折射率传感器的级联功能通过调整磁场强度的大小实现；所述磁场强度为0T时，测量的折射率范围为1.1-1.5；所述磁场强度为1.25T时，测量的折射率范围为1.5-1.8。

3.根据权利要求1所述的基于涂覆抗反射涂层的层状堆叠结构的级联折射率传感器，其特征在于，所述层状堆叠结构的介质排列顺序为InSb₂A₁(InSb₁A₂)⁶(InSb₁A₁)⁴⁵(InSb₁A₂)⁷InSb₂。

4.根据权利要求3所述的基于涂覆抗反射涂层的层状堆叠结构的级联折射率传感器，其特征在于，介质排列组(InSb₁A₁)⁴⁵为层状堆叠结构的主体结构；介质排列组InSb₂A₁(InSb₁A₂)⁶和(InSb₁A₂)⁷InSb₂为层状堆叠结构的抗反射涂层。

5.根据权利要求1所述的基于涂覆抗反射涂层的层状堆叠结构的级联折射率传感器，其特征在于，所述介质A₁和A₂为相同的待测物质，折射率n_A1＝n_A2，厚度分别为d_A1＝2μm，d_A2＝1.8μm。

6.根据权利要求5所述的基于涂覆抗反射涂层的层状堆叠结构的级联折射率传感器，其特征在于，所述介质InSb₁和InSb₂均为InSb介质；磁场强度为0T时，所述介质InSb₁和InSb₂的折射率分别为n_InSb1＝n_InSb2＝2.7949；磁场强度为1.25T时，所述介质InSb₁和InSb₂的折射率分别为n’_InSb1＝n’_InSb2＝2.7169。

7.根据权利要求1所述的基于涂覆抗反射涂层的层状堆叠结构的级联折射率传感器，其特征在于，所述介质InSb₁和InSb₂的厚度分别为d_InSb1＝7.2μm，d_InSb2＝3.6μm。