[发明专利]晶体定向方法、装置及晶体加工方法

权利要求书

1.一种晶体定向方法，用于包括X射线衍射仪的晶体定向装置，所述晶体定向装置还包括基台，所述基台上设置有待测晶体搭载区、水平翻转机构、轴向旋转机构和竖直升降机构，其特征在于，所述晶体定向方法包括如下步骤：

(1)将待测晶体放置于基台上的待测晶体搭载区，调节竖直升降机构使待测晶体相对于X射线衍射仪置于标准衍射位置；

(2)任意选取一个入射角度，并在全谱范围内对待测晶体进行衍射，根据布拉格公式，如公式1所示，获取此时待测晶体不同晶面的衍射位置和强度，

2dsinθ＝nλ (公式1)，

其中，d为晶面间距，θ为入射线/反射线与反射晶面之间的夹角，λ为波长，n为反射级数；

(3)多次小角度调节水平翻转机构和轴向旋转机构，使基台在x轴方向和y轴方向作水平翻转和轴向旋转，调整待测晶体的旋转角度，基台调整角度记为(x，y)，其中x为水平翻转角度，逆时针调整角度记为正，顺时针调整角度记为负；y为轴向旋转角度，逆时针调整角度记为正，顺时针调整角度记为负；记录下X射线衍射仪对待测晶体不同晶面的衍射强度；

(4)对比步骤(2)与(3)中不同晶面的衍射强度随基台调整角度(x，y)的强弱变化规律，根据晶面夹角关系，预判目标晶面所需的基台调整角度旋转方向；

(5)根据步骤(4)预判的方向调节水平翻转机构和轴向旋转机构旋转待测晶体，微调角度并做衍射，直至衍射谱中只保留目标晶面的衍射峰，记录此时基台调整角度(x，y)。

2.根据权利要求1所述的晶体定向方法，其特征在于，步骤(2)～步骤(5)中，所述X射线衍射仪照射在待测晶体上的光斑小于待测晶体的照射面。

3.根据权利要求1所述的晶体定向方法，其特征在于，步骤(3)中，所述小角度调节水平翻转机构和轴向旋转机构为1-10°范围内调整。

4.根据权利要求1所述的晶体定向方法，其特征在于，步骤(4)中，不同晶面的衍射强度随基台调整角度(x，y)的强弱变化规律为：旋转使某个晶面衍射峰增强，则越接近该晶面方向，晶面衍射峰减弱则越偏离。

5.根据权利要求1所述的晶体定向方法，其特征在于，步骤(4)中，晶面夹角关系如公式2～8所示：

三斜晶系：

单斜晶系：

正交晶系：

四方晶系：

三方晶系：

六方晶系：

立方晶系：

其中，h₁、k₁、l₁和h₂、k₂、l₂为不同晶面的晶面指数，θ为(h₁k₁l₁)晶面和(h₂k₂l₂)晶面之间的夹角。

6.根据权利要求1所述的晶体定向方法，其特征在于，所述X射线衍射仪为粉末X射线衍射仪。

7.晶体加工方法，其特征在于，根据权利要求1-6任一所述的晶体定向方法获得待加工晶体目标晶面的切割角度，对待加工晶体进行切割。