[发明专利]量子级联激光器在审
| 申请号： | 202110838791.5 | 申请日： | 2021-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN114079230A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 加藤隆志 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨海荣;曲盛 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子 级联 激光器 | ||
1.一种量子级联激光器，具有：
包含III-V族化合物半导体的基板；和
设置在所述基板上并且包含III-V族化合物半导体的核心区域，
所述核心区域包含层叠的多个单元结构，
所述多个单元结构分别包含有源层和注入层，
所述注入层包含：包含第一阱层和第一势垒层的至少一个应变补偿层以及包含第二阱层和第二势垒层的至少一个晶格匹配层，
所述第一阱层具有比所述基板的晶格常数大的晶格常数，
所述第一势垒层具有比所述基板的晶格常数小的晶格常数，
所述第二阱层和所述第二势垒层分别具有与所述基板晶格匹配的晶格常数。
2.如权利要求1所述的量子级联激光器，其中，所述第二阱层相对于所述基板的应变的绝对值为0.3％以下。
3.如权利要求1或权利要求2所述的量子级联激光器，其中，所述第二势垒层相对于所述基板的应变的绝对值为0.3％以下。
4.如权利要求1～权利要求3中任一项所述的量子级联激光器，其中，所述第一阱层相对于所述基板的应变的绝对值为0.5％以上。
5.如权利要求1～权利要求4中任一项所述的量子级联激光器，其中，所述第一势垒层相对于所述基板的应变的绝对值为0.5％以上。
6.如权利要求1～权利要求5中任一项所述的量子级联激光器，其中，所述至少一个晶格匹配层为彼此邻接配置的多个晶格匹配层。
7.如权利要求1～权利要求6中任一项所述的量子级联激光器，其中，所述至少一个应变补偿层为多个应变补偿层，
所述至少一个晶格匹配层配置在所述多个应变补偿层之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社，未经住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110838791.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
