[发明专利]发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

发光结构，包括依次层叠的第一半导体层、有源层、第二半导体层以及从所述第二半导体层经由所述有源层延伸到所述第一半导体层的一部分的多个局部缺陷区；

透明导电层，形成在所述第二半导体层上；

第一绝缘层，覆盖所述发光结构，包含第一开口和第二开口，所述第一开口露出所述第一半导体层的一部分；

第一电极层，包括形成在所述第一绝缘层上和所述第一开口内，且经由所述第一开口与所述第一半导体层电性连接，所述第一电极层包括第一金属反射层和应力调整层，在所述第一开口内所述第一金属反射层和所述第一半导体层接触，所述第一金属反射层位于所述第一半导体层和所述应力调整层之间；

第二电极层，形成于所述第二半导体层之上，通过所述第二开口与所述透明导电层电连接；

第二绝缘层，覆盖所述发光结构，包含第三开口和第四开口，所述第三开口露出所述第一电极层的一部分，所述第四开口露出所述第二电极层的一部分；

第一焊盘电极，与第一半导体层电接触，其中形成在所述第一绝缘层上的第一电极层通过所述第三开口和第一焊盘电极电性接触；

第二焊盘电极，与第二半导体层电接触，其中形成在所述第二半导体层上的第二电极层通过所述第四开口和第二焊盘电极电性接触；

其中，所述第一金属反射层和所述应力调整层含有同一种金属元素，所述同一种金属元素在所述第一金属反射层的含量大于所述应力调整层的含量。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述同一种金属元素包含铝、银或铑中的一种。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述同一种金属元素的反射率大于70%。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一金属反射层包含铝金属，所述应力调整层包含铝合金。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述应力调整层为铝铜合金。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一金属反射层具有100nm至500nm的厚度，所述应力调整层具有100nm至500nm的厚度。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极层还包括扩散防止层，所述扩散防止层位于所述第一金属反射层和所述应力调整层之间，所述扩散防止层包含钛、铂、镍、铜、铬、锌、钯、铑、铱、钌或钨中的至少一种金属。

8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述扩散防止层具有50nm至300nm的厚度。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括蚀刻阻挡层，所述蚀刻阻挡层位于所述应力调整层之上，所述蚀刻阻挡层包含铬、金、铂、钨、镍或钛中至少一种金属形成。

10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述蚀刻阻挡层具有5nm至2000nm的厚度。

11.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述蚀刻阻挡层包含铬层和铂层，所述铬层具有10nm至100nm的厚度，所述铂层具有5nm至300nm的厚度。

12.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括粘附层，所述粘附层位于所述应力调整层之上，所述粘附层包含钛或铬中的至少一种金属。

13.根据权利要求12所述的发光二极管，其特征在于，所述粘附层具有2nm至50nm的厚度。

14.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二电极层与所述第一电极层包含相同的金属材料及/或具有相同的金属叠层。