[发明专利]一种TOPCon太阳能电池及制造方法

权利要求书

1.一种TOPCon太阳能电池，其特征在于，包括：N型硅片，所述N型硅片的背面设置有第一钝化接触区和第二钝化接触区，所述第一钝化接触区的钝化层的厚度大于第二钝化接触区的钝化层的厚度。

2.根据权利要求1所述的TOPCon太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化接触区的钝化层包括第一掺杂层和第二掺杂层，所述第二钝化接触区的钝化层包括第一掺杂层。

3.根据权利要求2所述的TOPCon太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂层的厚度为30~60nm，所述第二掺杂层的厚度为150~200nm。

4.一种如权利要求1-3任一项所述的TOPCon太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）获取N型硅片并进行表面制绒；

（2）将制绒后的N型硅片进行硼扩散，在N型硅片的正面形成硼扩散层和BSG层；

（3）去除N型硅片的背面和侧面绕扩的硼扩散层和BSG层；

（4）在N型硅片的背面先制备隧穿氧化层，再在隧穿氧化层远离N型硅片的表面制备第一掺杂层；

（5）去除N型硅片正面和侧面绕镀的第一掺杂层以及N型硅片正面的BSG层；

（6）在第一掺杂层远离N型硅片的表面制备第二掺杂层，第二掺杂层的图形与电池的背电极图形保持一致或者接近电池的背电极图形；

（7）在N型硅片的正面沉积正面钝化膜和正面减反膜，在N型硅片的背面沉积背面减反膜；

（8）在N型硅片的正面印刷正电极，背面印刷背电极，其中背电极套印在第二掺杂层上，再将印刷后的N型硅片进行烧结，背电极与N型硅片的背面所接触的区域形成第一钝化接触区，背电极与N型硅片的背面未接触的区域形成第二钝化接触区，即完成TOPCon太阳能电池的制造。

5.根据权利要求4所述的TOPCon太阳能电池的制造方法，其特征在于，步骤（4）中，所述第一掺杂层为原位掺杂多晶硅薄膜或者本征多晶硅薄膜。

6.根据权利要求5所述的TOPCon太阳能电池的制造方法，其特征在于，步骤（4）中，所述第一掺杂层可采用LPCVD沉积原位掺杂非晶硅薄膜再高温退火的方式、LPCVD沉积本征非晶硅薄膜再高温磷扩散的方式或者PECVD沉积原位掺杂非晶硅薄膜再高温退火的方式制备而成。

7.根据权利要求5-6任一项所述的TOPCon太阳能电池的制造方法，其特征在于，步骤（4）中，所述隧穿氧化层的厚度为1~2nm，所述第一掺杂层的厚度为30~60nm。

8.根据权利要求4所述的TOPCon太阳能电池的制造方法，其特征在于，步骤（6）中，所述第二掺杂层通过丝网印刷掺磷非晶硅浆料再高温退火的方式或者选择性沉积原位掺杂非晶硅薄膜再高温退火的方式制备而成。

9.根据权利要求8所述的TOPCon太阳能电池的制造方法，其特征在于，步骤（6）中，所述掺磷非晶硅浆料的主要成分为非晶硅和含磷化合物。

10.根据权利要求8-9任一项所述的TOPCon太阳能电池的制造方法，其特征在于，步骤（6）中，所述第二掺杂层的厚度为150~200nm。