[发明专利]离子注入装置及离子注入方法

权利要求书

1.一种离子注入装置，其特征在于，包括：

离子发生模块，用于产生离子，所述离子至少包括目标离子和重离子；

筛选模块，用于对所述离子施加偏转磁场，以筛选需要注入的离子；

角度调节模块，包括第一偏转电场和第二偏转电场，其中，所述第一偏转电场设置于所述偏转磁场的入口处，以使所述离子垂直或倾斜进入所述偏转磁场；所述第二偏转电场设置于所述偏转磁场的出口处，以调整通过所述偏转磁场的离子的运动方向。

2.如权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，所述目标离子和所述重离子的带电量相同，所述重离子的离子质量大于所述目标离子的离子质量。

3.如权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，所述目标离子在所述偏转磁场中的运动半径与所述偏转磁场的偏转半径相同。

4.如权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，所述第一偏转电场的电压和所述第二偏转电场的电压相同。

5.如权利要求4所述的离子注入装置，其特征在于，所述第一偏转电场的电压和所述第二偏转电场的电压的范围均包括0～500V。

6.如权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，所述离子发生模块和所述角度调节模块的所述第一偏转电场之间还设置有加速模块，用于加速所述离子发生模块所产生的离子。

7.一种离子注入方法，采用如权利要求1～6中任一项所述的离子注入装置进行离子注入，其特征在于，包括：

设置角度调节模块中第一偏转电场和第二偏转电场的电压，使离子发生模块所产生的离子通过第一偏转电场后垂直或倾斜进入筛选模块中的偏转磁场，并通过所述第二偏转电场调整从所述偏转磁场中射出的离子的运动方向。

8.如权利要求7所述的离子注入方法，其特征在于，设置所述第一偏转电场和所述第二偏转电场的电压为零，使离子发生模块所产生的离子垂直进入所述偏转磁场，筛选出目标离子。

9.如权利要求8所述的离子注入方法，其特征在于，设置所述第一偏转电场的电压和所述第二偏转电场的电压分别为第一设定电压和第二设定电压，使离子发生模块所产生的离子倾斜进入所述偏转磁场，筛选出具有一设定离子质量的重离子。

10.如权利要求9所述的离子注入方法，其特征在于，设置所述第一设定电压和所述第二设定电压的过程包括：

获取所述第一偏转电场和所述第二偏转电场的电压均为零时，筛选出的所述目标离子的最大离子质量；

根据所述最大离子质量和所述设定离子质量计算出所述重离子进入所述偏转磁场的入射角度，及所述重离子通过所述偏转磁场后的出射角度，得到所述第一设定电压和所述第二设定电压。

11.如权利要求10所述的离子注入方法，其特征在于，所述最大离子质量为所述偏转磁场的磁通量为离子注入装置所能达到的最大磁通量时筛选出的目标离子的离子质量。