[发明专利]倒装深紫外LED及其制备方法

权利要求书

1.一种倒装深紫外LED，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上形成有依次堆叠的n型外延层、量子阱层和p型外延层；

粗化种层，所述粗化种层为多晶结构，所述粗化种层覆盖所述n型外延层、所述量子阱层和所述p型外延层和部分所述衬底的侧壁，所述粗化种层的材质为AlN；

粗化结构，所述粗化结构为不定晶向的粗化结构，所述粗化结构覆盖所述粗化种层；

p型欧姆接触，所述p型欧姆接触覆盖所述p型外延层表面，所述p型欧姆接触为不透明的金属或金属合金材质；

n型欧姆接触，所述n型欧姆接触贯穿所述p型外延层和所述量子阱层并与所述n型外延层电连接；

盖片层；以及

反射层，所述反射层与所述盖片层构成一容置空间，所述衬底、所述粗化种层、所述粗化结构、所述p型欧姆接触和所述n型欧姆接触位于所述容置空间内；

利用MOCVD工艺形成所述粗化结构。

2.根据权利要求1所述的倒装深紫外LED，其特征在于，所述倒装深紫外LED还包括：绝缘层，所述绝缘层位于所述n型欧姆接触与所述p型外延层、所述量子阱层和所述n型外延层之间。

3.根据权利要求1所述的倒装深紫外LED，其特征在于，利用ALD或者PVD工艺形成所述粗化种层。

4.根据权利要求3所述的倒装深紫外LED，其特征在于，所述粗化种层的厚度为5nm~200nm。

5.根据权利要求1所述的倒装深紫外LED，其特征在于，所述粗化结构的厚度为200nm~1000nm。

6.根据权利要求1所述的倒装深紫外LED，其特征在于，所述倒装深紫外LED还包括：外壳，所述外壳覆盖所述反射层。

7.根据权利要求6所述的倒装深紫外LED，其特征在于，所述外壳的材质包括：陶瓷。

8.根据权利要求1所述的倒装深紫外LED，其特征在于，所述反射层的材质为铝；所述盖片层的材质为蓝宝石或者石英石。

9.一种倒装深紫外LED的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上形成有依次堆叠的n型外延层、量子阱层、p型外延层和图形化的掩膜层；

刻蚀所述p型外延层、所述量子阱层、所述n型外延层和部分厚度的衬底以形成沟槽；

形成粗化种层，所述粗化种层为多晶结构，所述粗化种层覆盖所述沟槽的底壁和侧壁，所述粗化种层的材质为AlN；

形成粗化结构，所述粗化结构为不定晶向的粗化结构，所述粗化结构覆盖所述粗化种层；

利用所述掩膜层材料同氮化物半导体材料之间不同的物化特性，采用湿法刻蚀工艺，去除所述p型外延层表面的所述粗化结构、所述粗化种层以及所述掩膜层；

形成p型欧姆接触，所述p型欧姆接触覆盖所述p型外延层表面，所述p型欧姆接触为不透明的金属或金属合金材质；

形成n型欧姆接触，所述n型欧姆接触贯穿所述p型外延层和所述量子阱层并与所述n型外延层电连接；以及

形成盖片层和反射层，所述反射层与所述盖片层构成一容置空间，所述衬底、所述粗化种层、所述粗化结构、所述p型欧姆接触和所述n型欧姆接触位于所述容置空间内；

所述粗化结构形成方法包括：利用MOCVD工艺在所述粗化种层上继续生长粗化结构。