[发明专利]一种微流控芯片的APTES修饰方法及其捕获外泌体的应用

权利要求书

1.一种微流控芯片的APTES动态修饰方法，其特征在于：包括以下步骤：

1）利用3-氨基丙基三乙氧基硅烷APTES和微流控芯片通道内表面发生硅烷化反应，实现对微流控芯片通道内表面进行正电荷修饰；

2）向修饰有正电荷的微流控芯片通道内加入带有外泌体的样品，实现对外泌体的抓取；

3）利用缓冲液PBS对微流控芯片进行冲洗，得到吸附于微流控芯片通道表面的纯外泌体，实现外泌体富集的目的。

2.根据权利要求1所述的微流控芯片的动态修饰方法，其特征在于：所述步骤1）微流控芯片通道内表面进行正电荷修饰的具体方法包括以下步骤：

微流控芯片通道内表面放入等离子发生器中，抽真空至0-20Pa，通入氧气流速至50-200 毫升/分钟，调整放电功率在100-300W，进行射频放电1-50秒；在真空状态下、用手动注射或注射泵注射的方式将一定浓度的APTES涂覆在芯片表面，37℃孵育2-6小时或者4℃孵育12-24小时，APTES硅氧烷键与等离子体处理后芯片表面的羟基缩合，以使APTES铺设于微流控芯片内。

3.根据权利要求1所述的微流控芯片的动态修饰方法，其特征在于：所述微流控芯片为鱼骨型芯片，包括上层的鱼骨结构层和下层的通道层；鱼骨结构层中设有若干间隔布置的鱼骨形横梁，通道层中设有若干均匀分布的支撑柱；支撑柱间的间隙形成流体通道。

4.根据权利要求3所述的微流控芯片的动态修饰方法，其特征在于：所述鱼骨结构层的高度为30～100微米，所述通道层的高度为30～100微米；所述鱼骨形横梁的宽度为30～120微米，高度为30～100微米，相邻的鱼骨形横梁间的间距为80～120微米；支撑柱的高度为30～100微米。

5.根据权利要求1所述的微流控芯片的动态修饰方法，其特征在于：所述微流控芯片的材质为聚二甲氧基硅烷、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚丙烯或聚碳酸酯中的一种或至少两种的组合；所述微流控芯片通过雕刻、光刻模板、压印模板或注塑模板方法制备得到。

6.一种根据权利要求1至5中任一项所述的方法制备得到的动态修饰的微流控芯片，其特征在于，所述微流控芯片采用工业或家用真空包装机抽真空后保存。

7.一种根据权利要求1至5中任一项所述的方法制备得到的动态修饰的微流控芯片的应用，其特征在于，所述微流控芯片在捕获循环肿瘤外泌体上的应用。

8.根据权利要求7所述的微流控芯片的应用，其特征在于：所述应用包括：所述芯片通道表面动态修饰物质为APTES；具体步骤包括：将所述动态修饰的微流控芯片置于流体驱动环境中，将待捕获的样品注入所述动态修饰的微流控芯片内，上样流速为0.5～5mL/h，通过微流控芯片通道表面修饰的带正电荷的APTES捕获所述循环肿瘤外泌体；随后改变pH微环境，用缓冲液将捕获的循环肿瘤外泌体从微流控芯片中洗脱，以实现对循环肿瘤外泌体的富集和无损释放。