[发明专利]一种纳米钴酸镁及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种纳米钴酸镁，其特征在于，所述钴酸镁的XRD图谱在衍射角2θ为18.96±0.04°、31.2±0.1°、36.76±0.1°、38.46±0.04°、44.71±0.15°、55.53±0.1°、59.22±0.13°、65.08±0.02°、68.46±0.11°、73.94±0.1°、77.15±0.1°、78.21±0.5°处有特征峰，所述钴酸镁的微观形貌为纳米针，所述纳米针由多个纳米颗粒组成，所述纳米针的长度为1.1-1.54μm，所述纳米针的平均直径为0.08-0.10μm，所述纳米针上有孔隙。

2.如权利要求1所述的一种纳米钴酸镁的制备方法，其特征在于，所述方法包括，

将镁源、钴源、沉淀剂和结构合成剂与水混合后制备成混合溶液；

将所述混合溶液与预处理泡沫镍在120-130℃的温度下反应5-7h，获得前驱体；

将所述前驱体煅烧，获得所述钴酸镁。

3.根据权利要求2所述的一种纳米钴酸镁的制备方法，其特征在于，所述镁源、钴源、沉淀剂和结构合成剂的毫摩尔比例为1～10：2～10:1～15:1～5。

4.根据权利要求2所述的一种纳米钴酸镁的制备方法，其特征在于，所述镁源为如下任意一种：硝酸镁、醋酸镁、氯化镁。

5.根据权利要求2所述的一种纳米钴酸镁的制备方法，其特征在于，所述钴源为如下任意一种：硝酸钴、醋酸钴、氯化钴。

6.根据权利要求2所述的一种纳米钴酸镁的制备方法，其特征在于，所述沉淀剂为如下任意一种：尿素、草酸、碳酸盐，所述碳酸盐为如下任意一种：碳酸钠、碳酸钾、碳酸钙。

7.根据权利要求2所述的一种纳米钴酸镁的制备方法，其特征在于，所述结构合成剂为氟化铵。

8.根据权利要求2所述的一种纳米钴酸镁的制备方法，其特征在于，所述方法还包括，

获得待处理泡沫镍；

将所述待处理泡沫镍分别用稀盐酸、丙酮、无水乙醇以及去离子水超声并烘干，获得所述预处理泡沫镍；所述超声总时间为15-30min，所述烘干温度为50-80℃，所述烘干时间为65-75min。

9.根据权利要求2所述的一种纳米钴酸镁的制备方法，所述煅烧过程中，升温速率为4-6℃/min，温度为350-400℃，时间为2-3h。

10.如权利要求1所述的一种纳米钴酸镁的应用，其特征在于，将所述钴酸镁作为电极材料应用于超级电容器中。