[发明专利]一种过温保护电路

说明书

本发明公开一种过温保护电路，包括电阻R23、电阻R21、三极管Q21、具有回滞功能的比较器、电压反馈环路模块，以及与电压反馈环路模块连接的第一电流镜；所述电阻R23的一端与电压反馈环路模块连接，电阻R23的另一端接地；所述电阻R21的一端和三极管Q21的发射极均与第一电流镜连接，电阻R21的另一端和三极管Q21的集电极均与电阻R23连接后接地。本发明将回滞功能在比较器内部进行实现，可减小芯片面积、节约成本，其具体是通过比较器的输出信号控制内部电路的一个开关，从而改变负载MOS管的等效尺寸及控制负载MOS管的等效宽长比，进而实现回滞功能，简单方便。

技术领域

本发明涉及过温保护技术领域，尤其涉及一种过温保护电路。

背景技术

电源类的集成电路产品日益渗透到现代生活的方方面面，作为一种保护机制，过温关断功能可以有效的在芯片温度过高时，关断电路，从而避免电路功能的异常或烧毁。而目前的过温保护电路，一般的实现方式是用一个比较器，比较一个不随温度变化的基准电压，和一个随温度而减小的负温度系数的电压，其中，回滞功能是通过改变基准电压实现的，实现较为复杂。

发明内容

本发明的目的是提供一种过温保护电路，该电路将回滞功能在比较器内部进行实现，可减小芯片面积、节约成本，其具体是通过比较器的输出信号控制内部电路的一个开关，从而改变负载MOS管的等效尺寸及控制负载MOS管的等效宽长比，进而实现回滞功能，简单方便。

为实现上述目的，采用以下技术方案：

一种过温保护电路，包括电阻R23、电阻R21、三极管Q21、具有回滞功能的比较器、电压反馈环路模块，以及与电压反馈环路模块连接的第一电流镜；所述电阻R23的一端与电压反馈环路模块连接，电阻R23的另一端接地；所述电阻R21的一端和三极管Q21的发射极均与第一电流镜连接，电阻R21的另一端和三极管Q21的集电极均与电阻R23连接后接地，且三极管Q21的基极还与三极管Q21的集电极连接；所述比较器的同相输入端连接于电阻R21与第一电流镜的公共连接端，比较器的反相输入端连接于三极管Q21与第一电流镜的公共连接端。

进一步地，所述比较器的内部电路包括电流源I22、MOS管P26、MOS管P27、第二电流镜、第三电流镜、第四电流镜；所述电流源I22的一端分别与MOS管P26的源极、MOS管P27的源极连接，MOS管P26的漏极和MOS管P27的漏极分别与第二电流镜、第三电流镜连接，MOS管P26的栅极和MOS管P27的栅极分别用作比较器的反相输入端、同相输入端；所述第二电流镜和第三电流镜还均与第四电流镜连接，且第四电流镜还与电流源I22的另一端连接；所述第三电流镜与第四电流镜的公共连接端用作比较器的输出端。

进一步地，所述第三电流镜包括MOS管N25、MOS管N26、MOS管N27、MOS管N28；所述MOS管N25的源极与MOS管N26的源极和MOS管N27的源极连接，MOS管N25的漏极与MOS管P27的漏极连接，MOS管N25的栅极与MOS管N26的栅极和MOS管N27的栅极连接；所述MOS管N28的栅极与MOS管N27的漏极连接后接入第四电流镜，MOS管N28的源极与MOS管N26的漏极连接，MOS管N28的漏极分别与MOS管N25的栅极，和MOS管N25的漏极连接；所述MOS管N25的源极还与第二电流镜连接。

进一步地，所述第二电流镜包括MOS管N23和MOS管N24；所述MOS管N23的漏极与第四电流镜连接，MOS管N23的栅极与MOS管N24的栅极连接，MOS管N23的源极与MOS管N24的源极连接后与MOS管N25的源极连接；所述MOS管N24的漏极与MOS管P26的漏极连接，且MOS管N24的漏极还连接于MOS管N23与MOS管N24的公共连接端。