[发明专利]一种采用辐照技术制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种采用辐照技术制造半导体器件的方法，其特征在于，包括：

在硅晶片中形成基极区和发射极区，在所述硅晶片的表面形成钝化薄膜层以及金属化层和合金化层；

对所述硅晶片进行切割和器件分离，将分离的器件固定在基座上，并进行引线焊接处理，形成晶体管；

对所述晶体管进行辐射处理；

将聚酰胺酸施加到晶体管的表面；

采用第一预设温度在第一预设时间内对所述晶体管进行第一阶段的聚合；

采用第二预设温度在第二预设时间内对所述晶体管第二阶段聚合；所述第二预设温度高于所述第二预设温度；

对所述晶体管的辐射缺陷进行退火处理，制备出具有抗辐射性能的半导体晶体管。

2.根据权利要求1所述的采用辐照技术制造半导体器件的方法，其特征在于，所述在硅晶片中形成基极区和发射极区，包括：

将所述硅晶片进行氧化，形成氧化硅层；

对所述氧化硅层进行光刻和蚀刻处理，形成氧化硅层中的窗口；

在所述氧化硅层中的窗口进行硼杂质和磷杂质的掺杂扩散，形成硅晶片的基极区和发射极区。

3.根据权利要求1所述的采用辐照技术制造半导体器件的方法，其特征在于，所述氧化硅层的厚度为0.7μm；所述基极区的厚度范围为大于等于0.8μm，小于等于0.9μm，所述基极区中硼杂质的浓度值小于等于2*10¹⁷/cm³。

4.根据权利要求1所述的采用辐照技术制造半导体器件的方法，其特征在于，所述在所述硅晶片的表面形成钝化薄膜层以及金属化层和合金化层，包括：

使用光刻技术，在基极区和发射极区上方形成接触窗，并从重掺杂衬底的背面去除氧化物；

在所述接触窗的窗口和衬底背面上，形成铝金属化层及表面抗氧化层；

在470℃的温度下进行30分钟的金属化烧结形成合金化层。

5.根据权利要求1所述的采用辐照技术制造半导体器件的方法，其特征在于，所述对所述晶体管进行辐射处理，包括：

将所述晶体管放入放射性同位素装置的腔室内进行辐射处理；

在经过辐射处理的所述晶体管上涂覆聚酰亚胺的聚合面层；所述聚酰亚胺的聚合面层的厚度范围为大于等于100微米，小于等于140微米。

6.根据权利要求5所述的采用辐照技术制造半导体器件的方法，其特征在于，所述将所述晶体管放入放射性同位素装置的腔室内进行辐射处理，包括：

放射性同位素装置的腔室内的辐射通量值的范围为大于等于1*10¹⁵量子/cm²，小于等于5*10¹⁶量子/cm²；

所述放射性同位素装置的腔室内的放射性射线为电离伽马射线。

7.根据权利要求6所述的采用辐照技术制造半导体器件的方法，其特征在于，所述将聚酰胺酸施加到晶体管的表面，包括：

将没有密封盖的所述晶体管放入盒中；

通过滴液法将液态聚酰胺酸施加到晶体管的表面上。

8.根据权利要求7所述的采用辐照技术制造半导体器件的方法，其特征在于，所述采用第一预设温度在第一预设时间内对所述晶体管进行第一阶段的聚合，包括：

在所述通过滴液法将液态聚酰胺酸施加到晶体管的表面上，之后，将带有晶体管的盒放入恒温器中；

采用干法吹氮气的方式向所述恒温器中吹入氮气，使所述恒温器内的温度达到第一预设温度；

将所述晶体管放置于所述恒温器中等待第一预设时间；

相应的，所述采用第二预设温度在第二预设时间内对所述晶体管第二阶段聚合，包括：

采用干法吹氮气的方式增加氮气量以增加恒温器的温度，使所述恒温器内的温度达到第二预设问题；

将所述晶体管放置于所述恒温器中等待第二预设时间。