[发明专利]极紫外光光刻方法和系统

说明书

本申请涉及一种极紫外光光刻方法、系统、计算机设备和存储介质。方法通过获取极紫外光光刻请求；根据极紫外光光刻请求生成液滴靶材，并生成液滴靶材对应的高功率激光；将高功率激光作用于液滴靶材，以使液滴靶材等离子体化，获取激光等离子体；将高功率激光和预设电磁场同时作用于激光等离子体，以使激光等离子体维持几何形态和激发状态；采集激光等离子体发射的符合预设要求的光作为光刻光源，基于光刻光源完成极紫外光光刻请求对应的光刻任务。本申请将高功率激光和预设电磁场同时作用于激光等离子体，以使激光等离子体维持几何形态和激发状态，从而可以有效提高光刻光源的发光效率，从而保证紫外光光刻质量。

技术领域

本申请涉及集成电路领域，特别是涉及一种极紫外光光刻方法和系统。

背景技术

半导体集成电路自出现发展至今，逐渐在当今社会中占据了不可或缺的地位。半导体集成电路，是指在一个半导体衬底上至少有一个电路块的半导体集成电路系统。半导体集成电路是将晶体管，二极管等等有源元件和电阻器，电容器等无源元件，按照一定的电路互联，“集成”在一块半导体单晶片上，从而完成特定的电路或者系统功能。光刻技术可以将电路图形转移到单晶体上，是现在推动集成电路发展的有效技术。光刻技术发展至今，已经到了极紫外光刻技术(EUV)阶段，在获取极紫外光刻光源的方法中，激光等离子体(LaserProduced Plasma，LPP)光源是最有潜力的一种，这种方法可以获得较高的转换效率以及产生较低的碎屑污染。激光等离子体光源是通过高强度的脉冲激光作用于液滴靶材，让液滴靶材在脉冲激光作用下达到极高温度而产生激光等离子体，上述激光等离子体由于处于高能级状态，会向低能级跃迁或与等离子体中的自由电子结合，从而发出一定波长的光。通过从上述激光等离子体发出的光中收集所需波长的光即可得到激光等离子体光源。

但是传统的LPP光源使用单个主激光脉冲击打靶材液滴，而不控制液滴在主激光脉冲作用后的运动和等离子体的状态，这限制了激光能量的转换率和光束质量。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能保证激光能量的转换率，提高光束质量的极紫外光光刻方法和系统。

一种极紫外光光刻方法，所述方法包括：

获取极紫外光光刻请求；

根据所述极紫外光光刻请求生成液滴靶材，并生成所述液滴靶材对应的高功率激光；

将所述高功率激光作用于所述液滴靶材，以使所述液滴靶材等离子体化，获取激光等离子体；

将所述高功率激光和预设电磁场同时作用于所述激光等离子体，以稳定所述激光等离子体的几何形态和激发状态；

采集稳定后的所述激光等离子体发射的符合预设要求的光作为光刻光源，基于所述光刻光源完成所述极紫外光光刻请求对应的光刻任务。

在其中一个实施例中，所述高功率激光的频率与所述液滴靶材的滴落频率相匹配。

在其中一个实施例中，所述高功率激光的频率与所述液滴靶材的滴落频率相匹配包括：

所述高功率激光的频率为所述液滴靶材的滴落频率的整数倍或者整分数。

在其中一个实施例中，所述将所述高功率激光作用于所述液滴靶材，以使所述液滴靶材等离子体化，获取激光等离子体包括：

将多路所述高功率激光聚焦作用于所述液滴靶材，以使所述液滴靶材等离子体化，获取激光等离子体。

在其中一个实施例中，所述采集稳定后的所述激光等离子体发射的符合预设要求的光作为光刻光源之前，还包括：

获取所述激光等离子体的漂移数据以及扩散数据；

根据所述漂移数据以及扩散数据调整所述高功率激光的强度以及所述预设电磁场的强度，以得到修正后的激光等离子体；