[发明专利]显示设备和制造该显示设备的方法在审
申请号: | 202110843751.X | 申请日: | 2021-07-26 |
公开(公告)号: | CN114078911A | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 尹亨根;曺圭元;姜锡训;申范秀;洪性焕 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 陈宇;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 制造 方法 | ||
1.一种显示设备,所述显示设备包括:
第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件,均包括在第一方向上发射第一颜色的光的发射层;
封装层,覆盖所述第一发光元件至所述第三发光元件;
第一遮光层,位于所述封装层上,所述第一遮光层包括分别对应于所述第一发光元件至所述第三发光元件的第一组开口部分;
金属层,位于所述第一遮光层的内表面上,所述内表面限定所述第一组开口部分,其中:所述金属层在垂直于所述第一方向的第二方向上的宽度沿所述第一方向逐渐减小;
第一颜色转换层,布置在所述第一组开口部分中的第一开口部分中,并且对应于所述第一发光元件;
第二颜色转换层,布置在所述第一组开口部分中的第二开口部分中,并且对应于所述第二发光元件;以及
透光层,布置在所述第一组开口部分中的第三开口部分中,并且对应于所述第三发光元件。
2.如权利要求1所述的显示设备,所述显示设备还包括在所述第一遮光层上的防液层,所述防液层在平面上位于所述第一组开口部分中的所述第一开口部分、所述第二开口部分和所述第三开口部分之间。
3.如权利要求1所述的显示设备,其中,所述金属层的所述宽度小于2μm。
4.如权利要求1所述的显示设备,其中,所述金属层包括氧化钛和/或银纳米颗粒。
5.如权利要求1所述的显示设备,其中,所述金属层包括聚合物。
6.如权利要求5所述的显示设备,其中,所述金属层的所述聚合物包括双官能单体的缩聚物。
7.如权利要求6所述的显示设备,其中,所述双官能单体包括己二醇二丙烯酸酯。
8.如权利要求1所述的显示设备,所述显示设备还包括位于所述第一遮光层上的第二遮光层,所述第二遮光层包括与所述第一组开口部分叠置的第二组开口部分。
9.如权利要求8所述的显示设备,所述显示设备还包括第一滤色器层、第二滤色器层和第三滤色器层,所述第一滤色器层、所述第二滤色器层和所述第三滤色器层均布置在所述第二组开口部分中并且分别与所述第一颜色转换层、所述第二颜色转换层和所述透光层叠置。
10.如权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一遮光层的所述内表面是锥形倾斜表面。
11.如权利要求1所述的显示设备,其中,所述金属层包括与所述第一遮光层的所述内表面接触的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,并且
其中,第一角度大于第二角度,所述第一角度由所述第一遮光层的面对所述封装层的下表面和所述金属层的所述第一表面形成,并且所述第二角度由所述第一遮光层的所述下表面和所述金属层的所述第二表面形成。
12.一种制造显示设备的方法,所述方法包括以下步骤:
准备其上布置有第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件的基底,所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件均包括发射第一颜色的光的发射层;
在所述基底上形成第一遮光层,所述第一遮光层包括分别对应于所述第一发光元件至所述第三发光元件的第一组开口部分;
在所述第一遮光层上形成防液层;
将第一墨喷射到所述第一组开口部分中,所述第一墨包括至少两种溶剂;以及
使所述第一墨干燥以在所述第一组开口部分中形成金属层。
13.如权利要求12所述的方法,其中,所述第一墨的所述至少两种溶剂包括具有彼此不同的蒸气压的第一溶剂和第二溶剂。
14.如权利要求13所述的方法,其中,所述第一墨包括50wt%或更多的所述第一溶剂。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110843751.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:光学可变的防伪元件
- 下一篇:利用双线条相机的断层摄影检查装置和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的