[发明专利]一种光电子集成基板及其制作方法、光电子集成电路

权利要求书

1.一种光电子集成基板，其特征在于，包括：

衬底；

电子元件，位于所述衬底一侧，包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括半导体有源层；

光学元件，位于所述衬底一侧，包括光电二极管，所述光电二极管包括N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述本征半导体层和所述P型半导体层均与所述半导体有源层同层设置。

2.根据权利要求1所述的光电子集成基板，其特征在于，所述光电二极管还包括第一电极和第二电极，所述第一电极与所述N型半导体层连接，所述第二电极与所述P型半导体层连接；

所述第一电极和所述第二电极同层设置，且所述第一电极和所述第二电极呈叉指形分布。

3.根据权利要求2所述的光电子集成基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括源漏极电极层；

所述第一电极和所述第二电极均与所述源漏极电极层同层设置。

4.根据权利要求3所述的光电子集成基板，其特征在于，还包括依次位于所述源漏极电极层远离所述衬底一侧的钝化层和第一平坦层；

所述钝化层和所述第一平坦层均覆盖所述薄膜晶体管和所述光电二极管。

5.根据权利要求4所述的光电子集成基板，其特征在于，还包括位于所述第一平坦层远离所述衬底一侧的金属层；

所述金属层通过贯穿所述第一平坦层和所述钝化层的过孔与所述第一电极或所述第二电极电连接。

6.根据权利要求2所述的光电子集成基板，其特征在于，还包括金属层，以及依次位于所述源漏极电极层远离所述衬底一侧的钝化层和第一平坦层；

所述钝化层和所述第一平坦层均覆盖所述薄膜晶体管，且所述钝化层在所述衬底上的正投影与所述光电二极管在所述衬底上的正投影无交叠，所述第一平坦层在所述衬底上的正投影与所述光电二极管在所述衬底上的正投影无交叠；

所述金属层在所述衬底上的正投影位于所述光电二极管在所述衬底上的正投影内，包括间断设置的第一金属结构和第二金属结构，所述第一电极复用所述第一金属结构，所述第二电极复用所述第二金属结构。

7.根据权利要求5或6所述的光电子集成基板，其特征在于，还包括第二平坦层；

所述第二平坦层位于所述金属层远离所述衬底一侧，且覆盖所述薄膜晶体管和所述光电二极管。

8.根据权利要求2所述的光电子集成基板，其特征在于，在第一方向上，所述半导体有源层、所述N型半导体层、所述本征半导体层和所述P型半导体层的厚度均相等，且该厚度的值为400埃至600埃，所述第一方向为垂直于所述衬底的方向；

和/或，在第二方向上，所述第一电极的宽度为1微米至5微米，所述第二电极的宽度为1微米至5微米，所述第一电极和所述第二电极之间的间距为1微米至5微米；所述第二方向为平行于所述衬底的方向。

9.一种光电子集成电路，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的光电子集成基板。

10.一种光电子集成基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底一侧制作薄膜晶体管和光电二极管；其中，所述薄膜晶体管包括的半导体有源层与所述光电二极管包括的N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层在同一次构图工艺中制作形成。