[发明专利]一种LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包括叠层结构，该叠层结构包括：层叠的第一型半导体层、多量子阱有源层和第二型半导体层；

其中，所述多量子阱有源层包括沿背离所述第一型半导体层的方向交替排布的势阱层和势垒层，所述势阱层为Al_aGa_1-aAs层，所述势垒层为Al_bGa_1-bAs层，且0＜a＜b＜1；

其中，所述第一型半导体层为（Al_xGa_1-x)_1-yIn_yP层，所述叠层结构还包括：

位于所述第一型半导体层和所述多量子阱有源层之间的第一复合波导层，所述第一复合波导层包括沿背离所述第一型半导体层的方向依次排布的第一子层和第二子层，所述第一子层为（Al_mGa_1-m)_1-nIn_nP层，所述第二子层为Al_cGa_1-cAs层；

其中，所述第一子层的Al组分不大于所述第一型半导体层的Al组分，所述第二子层的Al组分不小于所述多量子阱有源层中各势垒层的Al组分。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述多量子阱有源层中，沿背离所述第一型半导体层的方向，各势垒层的Al组分逐渐增加。

3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述多量子阱有源层中各势阱层的Al组分取值范围为0.05~0.15，包括端点值；

所述多量子阱有源层中各势垒层的Al组分取值范围为0.30~0.45，包括端点值。

4.根据权利要求1-3任一项所述的LED芯片，其特征在于，所述第二型半导体层为（Al_eGa_1-e)_1-fIn_fP层，所述叠层结构还包括：

位于所述多量子阱有源层和所述第二型半导体层之间的第二复合波导层，所述第二复合波导层包括沿背离所述多量子阱有源层的方向依次排布的第三子层和第四子层，所述第三子层为Al_dGa_1-dAs层，所述第四子层为（Al_gGa_1-g)_1-hIn_hP层；

其中，所述第三子层的Al组分不小于所述多量子阱有源层中各势垒层的Al组分，所述第四子层的Al组分不大于所述第二型半导体层的Al组分。

5.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：

提供第一衬底；

在所述第一衬底的一侧形成叠层结构，该叠层结构包括沿背离所述第一衬底的方向依次排布的第一型半导体层、多量子阱有源层和第二型半导体层；其中，所述多量子阱有源层包括沿背离所述第一型半导体层的方向交替排布的势阱层和势垒层，所述势阱层为Al_aGa_1-aAs层，所述势垒层为Al_bGa_1-bAs层，且0＜a＜b＜1；

从所述叠层结构背离所述第一衬底的一侧，将所述叠层结构键合至第二衬底上，并去除所述第一衬底，实现衬底转移；

其中，所述第一型半导体层为（Al_xGa_1-x)_1-yIn_yP层，该方法在形成所述叠层结构时，在形成所述多量子阱有源层之前，还包括：

在所述第一型半导体层背离所述第一衬底一侧形成第一复合波导层，所述第一复合波导层包括沿背离所述第一型半导体层的方向依次排布的第一子层和第二子层，所述第一子层为（Al_mGa_1-m)_1-nIn_nP层，所述第二子层为Al_cGa_1-cAs层；

其中，所述第一子层的Al组分不大于所述第一型半导体层的Al组分，所述第二子层的Al组分不小于所述多量子阱有源层中各势垒层的Al组分。