[发明专利]一种高亮度倒装LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种高亮度倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：

S1、将发光结构固定在涂有填充物的基板上；

S2、去除发光结构上的衬底，将第一半导体层裸露出来；

S3、采用等离子去胶机来清洗发光结构，并对第一半导体层进行氧化和粗化，以形成图型化氧化膜；

S4、采用蚀刻溶液蚀刻第一半导体层，形成宽度为1～2μm、深度为2～3μm的尖状体，所述尖状体将光线以散射光的形式从发光结构的出光面出射。

2.如权利要求1所述的高亮度倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述等离子去胶机的工作功率为40～60W，通入氧气的流量为25～45sccm，清洗时间为250～450秒。

3.如权利要求2所述的高亮度倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述等离子去胶机的工作功率为45～55W，通入氧气的流量为30～40sccm，清洗时间为300～400秒。

4.如权利要求1或2所述的高亮度倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述氧化膜为N型氧化稼。

5.如权利要求1所述的高亮度倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，步骤S4中，第一半导体层的腐蚀速率＞氧化膜的腐蚀速率。

6.如权利要求5所述的高亮度倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，步骤S4中，所述蚀刻溶液为KOH溶液，蚀刻溶液的温度为50～80℃，蚀刻时间为30～60秒。

7.如权利要求1所述的高亮度倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述填充物质为陶瓷粘土、酸性结构玻璃胶或塑钢土。

8.如权利要求7所述的高亮度倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述填充物质通过喷洒或涂附的方式涂覆在焊盘以外的基板上，当发光结构的电极焊接在焊盘上时，所述填充物质填满在发光结构和基板之间。

9.如权利要求1所述的高亮度倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述发光结构包括衬底、设于衬底上的外延层、以及设于外延层上的电极，所述外延层包括设于衬底上的第一半导体层、设于第一半导体层上的有源层、以及设于有源层上的第二半导体层；其中，所述第一半导体层为N型GaN层，所述有源层为多量子阱层，所述第二半导体层为P型GaN层。

10.一种高亮度倒装LED芯片，其特征在于，包括基板和发光结构，所述发光结构固定在基板上，且所述发光结构和所述基板之间填满填充物质，所述发光结构的出光面设有宽度为1～2μm、深度为2～3μm的尖状体，所述尖状体将光线以散射光的形式从发光结构的出光面出射。