[发明专利]解耦电容系统及方法

权利要求书

1.一种解耦电容系统，所述解耦电容系统包括：

解耦电容电路，电耦接在第一参考电压轨或第二参考电压轨与第一节点之间；以及

偏置电路，电耦接在所述第一节点与相应的所述第二参考电压轨或所述第一参考电压轨之间。

2.根据权利要求1所述的解耦电容系统，其中：

所述解耦电容器电路包括电耦接在所述第一节点与所述第一参考电压轨或所述第二参考电压轨之间的电容器配置的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

3.根据权利要求2所述的解耦电容系统，其中：

厚氧化物型MOSFET的栅极氧化物厚度大于约0.2nm；

薄氧化物型MOSFET的栅极氧化物厚度等于或小于约0.2nm；并且

所述电容器配置的MOSFET是薄氧化物型MOSFET。

4.根据权利要求2所述的解耦电容系统，其中：

所述电容器配置的MOSFET具有第一配置或第二配置；

所述第一配置具有：

所述电容器配置的MOSFET的栅极端子电耦接到所述第一节点；和

所述电容器配置的MOSFET的源极端子和漏极端子中的每个电耦接到：

(A)所述第一参考电压轨；或者

(B)所述第二参考电压轨；以及

所述第二配置具有：

所述电容器配置的MOSFET的所述源极端子和所述漏极端子中的每个电耦接到所述第一节点；和

所述电容器配置的MOSFET的所述栅极端子电耦接到：

所述第一参考电压轨；或者

所述第二参考电压轨。

5.根据权利要求1所述的解耦电容系统，其中：

所述偏置电路是自偏置电路。

6.根据权利要求5所述的解耦电容系统，其中：

所述自偏置电路是二极管配置的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

7.根据权利要求6所述的解耦电容系统，其中：

所述二极管配置的MOSFET具有第一配置或第二配置；

所述第一配置具有：

所述二极管配置的MOSFET的栅极端子和漏极端子中的每个电耦接到所述第一节点；和

所述二极管配置的MOSFET的源极端子相应地电耦接到所述第二参考电压轨；以及

所述第二配置具有：

所述二极管配置的MOSFET的所述源极端子电耦接到所述第一节点；和

所述二极管配置的MOSFET的所述栅极端子和所述漏极端子中的每个电耦接到所述第二参考电压轨。

8.根据权利要求1所述的解耦电容系统，还包括：

偏置电流发生器，配置为向所述第一节点提供偏置电流，从而使跨所述偏置电路的电压降升压。

9.一种解耦电容系统，所述解耦电容系统包括：

解耦电容电路，电耦接在第一参考电压轨或第二参考电压轨与第一节点之间；以及

滤波偏置电路，电耦接在所述第一节点与相应的所述第二参考电压轨或所述第一参考电压轨之间，所述滤波偏置电路包括：

N型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和P型MOSFET(PFET)，并联电耦接在所述第一节点与相应的所述第二参考电压轨或所述第一参考电压轨之间；

第一滤波器，电耦接到所述N型MOSFET(NFET)的栅极端子；和

第二滤波器，电耦接到所述PFET的栅极端子；并且

当所述第一滤波器被配置为高通滤波器时，所述第二滤波器具有被配置为高通滤波器的配置；和

当所述第一滤波器被配置为低通滤波器时，所述第二滤波器具有被配置为低通滤波器的配置。

10.一种与第一参考电压轨和第二参考电压轨之间的第一电压降的电压变化解耦的方法，所述方法包括：

将解耦电容电路电耦接在第一参考电压轨或第二参考电压轨与第一节点之间；以及

将偏置电路电耦接在所述第一节点与相应的所述第二参考电压轨或所述第一参考电压轨之间，从而导致跨所述解耦电容器电路的第二电压降小于所述第一电压降。