[发明专利]增强型GaN HEMT双向阻断功率器件

权利要求书

1.一种增强型GaN HEMT双向阻断功率器件，其特征在于，该器件包括自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、沟道层(4)、势垒层(5)、源极(6)、漏极(7)、栅极(8)，所述衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、沟道层(4)和势垒层(5)由下到上依次设置，所述势垒层(5)的上部分别设置源极(6)和漏极(7)，所述栅极(6)和源极(7)之间设置有刻蚀结构，所述漏极(7)采用肖特基接触。

2.根据权利要求2所述的增强型GaN HEMT双向阻断功率器件，其特征在于，在所述栅极(8)和势垒层(5)的接触面嵌入pGaN层(9)。

3.根据权利要求3所述的增强型GaN HEMT双向阻断功率器件，其特征在于，所述栅极(8)和源极(6)之间生长有至少一个pGaN桥(10)。

4.根据权利要求4所述的增强型GaN HEMT双向阻断功率器件，其特征在于，所述pGaN桥(10)的生长方式为并排生长，每两个组成一个pGaN桥(10)。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的增强型GaN HEMT双向阻断功率器件，其特征在于，所述衬底(1)为蓝宝石、SiC、Si和GaN中的一种。

6.根据权利要求5所述的增强型GaN HEMT双向阻断功率器件，其特征在于，所述成核层(2)为LT-GaN低温成核层。

7.根据权利要求6所述的增强型GaN HEMT双向阻断功率器件，其特征在于，所述缓冲层(3)为GaN、AlN、AlGaN和InGaN中的一种或几种。

8.根据权利要求7所述的增强型GaN HEMT双向阻断功率器件，其特征在于，所述沟道层(4)为GaN沟道层。

9.根据权利要求8所述的增强型GaN HEMT双向阻断功率器件，其特征在于，所述势垒层(5)采用1～6nm的薄AlN材料，或者，采用厚度为10～30nm AlGaN势垒层，Al组分为10～30％。