[发明专利]一种功率器件覆铜陶瓷衬板结构及其封装方法

权利要求书

1.一种功率器件覆铜陶瓷衬板结构，其特征是，包括：两块覆铜陶瓷衬板(1)，所述覆铜陶瓷衬板(1)包括：

氧化铝陶瓷层(11)，所述氧化铝陶瓷层(11)的边缘位置沿线型设置有多个邮票孔(12)，

正面覆铜金属层(13)，所述正面覆铜金属层(13)通过刻蚀形成电路图形，

背面覆铜金属层(14)，

所述正面覆铜金属层(13)及背面覆铜金属层(14)与氧化铝陶瓷层(11)通过直接结合的方式连接；

两块覆铜陶瓷衬板(1)中的氧化铝陶瓷层(11)通过邮票孔(12)连接在一起，组成第一覆铜陶瓷衬板封装体(6)。

2.根据权利要求1所述的功率器件覆铜陶瓷衬板结构，其特征是，所述氧化铝陶瓷层(11)为高导热氧化铝，厚度范围0.25mm～0.45mm。

3.根据权利要求1所述的功率器件覆铜陶瓷衬板结构，其特征是，所述正面覆铜金属层(13)的厚度为0.25mm～0.35mm。

4.根据权利要求1所述的功率器件覆铜陶瓷衬板结构，其特征是，所述背面覆铜金属层(14)厚度为0.25～0.35mm，且所述背面金属覆铜金属层的厚度小于等于正面覆铜金属层(13)的厚度。

5.根据权利要求1所述的功率器件覆铜陶瓷衬板结构，其特征是，多个所述邮票孔(12)的直径均为0.5mm～1.0mm，邮票孔(12)之间的间距为2.0mm～2.5mm。

6.根据权利要求1所述的功率器件覆铜陶瓷衬板结构，其特征是，两块所述覆铜陶瓷衬板(1)的尺寸相同，正面覆铜金属层(13)的图形不同或者相同。

7.一种根据权利要求1至6任一项所述的功率器件覆铜陶瓷衬板的封装方法，其特征是，包括：一次焊接和二次焊接两个步骤，其中，

所述一次焊接包括：将一次焊接焊片(2)、芯片(3)一次贴装在第一覆铜陶瓷衬板封装体(6)的正面，经过真空回流炉将芯片(3)和第一覆铜陶瓷衬板封装体(6)焊接在一起，形成第二覆铜陶瓷衬板封装体(7)；

所述二次焊接包括：将二次焊接焊片(4)、第二覆铜陶瓷衬板封装体(7)依次贴装在一块铜基板(5)的表面，经过真空回流炉完成封装；

所述第二覆铜陶瓷衬板封装体(7)在二次焊接后的冷却过程中，由于覆铜陶瓷衬板(1)与铜基板(5)的热膨胀系统差异，在拉应力的作用下两个覆铜陶瓷衬板(1)沿邮票孔(12)方向断开，分裂成两个独立的覆铜陶瓷衬板(1)，满足功率器件的电路设计要求。

8.根据权利要求7所述的功率器件覆铜陶瓷衬板的封装方法，其特征是，所述一次焊接焊片(2)的厚度为0.10mm～0.20mm，且所述依次焊接焊片的长、宽尺寸与芯片(3)的尺寸相同。

9.根据权利要求7所述的功率器件覆铜陶瓷衬板的封装方法，其特征是，所述二次焊接焊片(4)的厚度为0.15mm～0.30mm，长、宽尺寸与背面覆铜金属层(14)的尺寸相同。

10.根据权利要求7所述的功率器件覆铜陶瓷衬板的封装方法，其特征是，所述铜基板(5)的厚度为2.0mm～4.0mm，铜基板(5)呈内凹形状，长度方向的翘曲度为0.60～0.75mm。