[发明专利]阵列基板的制备方法和阵列基板

说明书

本申请提供一种阵列基板的制备方法和阵列基板。本申请提供的阵列基板的制备方法通过在同一制程中对第一金属层、缓冲层和半导体层图案化处理，节省了一道光刻工艺，通过对第二金属层图案化，实现在同一制程中制备第三极板、漏极、栅极、源极和连接部，也节省了一道光刻工艺。因此本申请提供的阵列基板的制备方法在制程上可以减少两道光刻工艺，制备方法简单，有利于提高阵列基板的生产效率。

技术领域

本申请涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板的制备方法和阵列基板。

背景技术

目前迷你/微发光二极管(Mini/Micro Light Emitting Diode，MLED)显示技术进入加速发展阶段，MLED可以应用于中小型显示器。相较有机发光二极管(Organic LightEmitting Diode，OLED)显示器，MLED显示器在成本、对比度、高亮度和轻薄外形上表现出更佳性能。在MLED显示技术中，阵列基板技术作为关键技术控制着MLED的显示。但是目前用于控制MLED显示器的阵列基板的制备方法复杂。

发明内容

本申请提供一种阵列基板的制备方法和阵列基板，以提高阵列基板的生产效率。

本申请提供一种阵列基板的制备方法，包括：

提供一基板；

在所述基板上依次形成第一金属层、缓冲层和半导体层，对所述第一金属层、所述缓冲层和所述半导体层图案化处理，所述第一金属层形成了第一极板、第一遮光部和第一金属部，所述缓冲层形成了第一缓冲部、第二缓冲部和第三缓冲部，所述半导体层形成了第二极板和有源部，所述第一极板、所述第一缓冲部和所述第二极板对应设置，所述第一遮光部、所述第二缓冲部和所述有源部对应设置，所述第三缓冲部位于所述第一金属部远离所述基板的一侧；

在所述半导体层远离所述基板的一侧形成第二金属层，对所述第二金属层图案化处理以形成第三极板、漏极、栅极、源极和连接部，所述连接部与所述第一金属部连接。

在一些实施例中，所述在所述基板上依次形成第一金属层、缓冲层和半导体层，对所述第一金属层、所述缓冲层和所述半导体层图案化处理之后还包括：

形成覆盖所述第一金属层、所述缓冲层和所述半导体层的栅极绝缘层，对所述栅极绝缘层图案化以形成第一开孔、第二开孔、第三开孔和第四开孔，所述第一开孔和所述第二开孔暴露出所述有源部，所述第三开孔暴露出第一遮光部，所述第四开孔暴露出第一金属部。

在一些实施例中，所述在所述半导体层远离所述基板的一侧形成第二金属层，对所述第二金属层图案化处理以形成第三极板、漏极、栅极、源极和连接部之后还包括：

形成覆盖所述第二金属层的第一钝化层，对所述第一钝化层图案化以形成第一开口和第二开口，所述第一开口暴露出所述源极，所述第二开口暴露出所述连接部。

在一些实施例中，所述形成覆盖所述第二金属层的第一钝化层，对所述第一钝化层图案化以形成第一开口和第二开口之后还包括：

在所述第二开口内形成保护层。

在一些实施例中，所述在所述第二开口内形成保护层之后还包括：

在所述第一钝化层远离所述第二金属层的一侧依次形成第二钝化层和第二遮光部。

在一些实施例中，所述在所述第一钝化层远离所述第二金属层的一侧依次形成第二钝化层和第二遮光部之后还包括：

在所述第一开口内设置发光二极管。

在一些实施例中，所述在所述基板上依次形成第一金属层、缓冲层和半导体层，对所述第一金属层、所述缓冲层和所述半导体层图案化处理包括：

在所述基板上依次形成第一金属层、缓冲层、半导体层和光阻层；