[发明专利]图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

光电二极管、浮置扩散区、电源电压输入端；

位于所述光电二极管与浮置扩散区之间的转移晶体管；

位于所述浮置扩散区与电源电压输入端之间的复位晶体管；

所述转移晶体管或复位晶体管中的至少一个晶体管具有不同厚度的栅极介质层，以减少电子回流。

2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述转移晶体管中，靠近光电二极管的栅极介质层的厚度大于其他部分的栅极介质层的厚度。

3.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述复位晶体管中，靠近浮置扩散区的栅极介质层的厚度大于其他部分的栅极介质层的厚度。

4.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括位于所述浮置扩散区与复位晶体管之间的双转换增益晶体管；所述双转换增益晶体管中，靠近浮置扩散区的栅极介质层的厚度大于其他部分的栅极介质层的厚度。

5.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括与所述复位晶体管共用所述浮置扩散区且位于浮置扩散区另一侧的双转换增益晶体管；所述双转换增益晶体管中，靠近浮置扩散区的栅极介质层的厚度大于其他部分的栅极介质层的厚度。

6.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：

分别定义光电二极管、浮置扩散区、电源电压输入端的预设区域；

定义位于所述光电二极管与浮置扩散区之间的转移晶体管预设区域；

定义位于所述浮置扩散区与电源电压输入端之间的复位晶体管预设区域；

在所述转移晶体管预设区域或复位晶体管预设区域中的至少一个区域形成不同厚度的栅极介质层，以使后续形成的转移晶体管或复位晶体管中的至少一个晶体管具有不同厚度的栅极介质层，以减少电子回流。

7.如权利要求6所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在所述转移晶体管预设区域形成不同厚度的栅极介质层的步骤包括：

在所述转移晶体管预设区域的靠近光电二极管的部分区域形成第一栅极介质层；

在所述转移晶体管预设区域的全部区域形成第二栅极介质层；以使后续形成的转移晶体管中，靠近光电二极管的第一栅极介质层和第二栅极介质层的总厚度大于其他部分的第二栅极介质层的厚度。

8.如权利要求6所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，

在所述复位晶体管预设区域形成不同厚度的栅极介质层的步骤包括：

在所述复位晶体管预设区域的靠近浮置扩散区的部分区域形成第一栅极介质层；

在所述复位晶体管预设区域的全部区域形成第二栅极介质层；

以使后续形成的复位晶体管中，靠近浮置扩散区的第一栅极介质层和第二栅极介质层的总厚度大于其他部分的第二栅极介质层的厚度。

9.如权利要求6所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，还包括：

定义位于所述浮置扩散区与复位晶体管之间的双转换增益晶体管预设区域；

在所述双转换增益晶体管预设区域的靠近浮置扩散区的部分区域形成第一栅极介质层；

在所述双转换增益晶体管预设区域的全部区域形成第二栅极介质层；

以使后续形成的双转换增益晶体管中，靠近浮置扩散区的第一栅极介质层和第二栅极介质层的总厚度大于其他部分的第二栅极介质层的厚度。

10.如权利要求6所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，还包括：

定义与复位晶体管共用所述浮置扩散区且位于浮置扩散区另一侧的双转换增益晶体管预设区域；

在所述双转换增益晶体管预设区域的靠近浮置扩散区的部分区域形成第一栅极介质层；

在所述双转换增益晶体管预设区域的全部区域形成第二栅极介质层；以使得后续形成的双转换增益晶体管中，靠近浮置扩散区的第一栅极介质层和第二栅极介质层的总厚度大于其他部分的第二栅极介质层的厚度。