[发明专利]DC-DC转换器的大带载能力斜坡补偿电路及补偿方法在审

专利信息
申请号: 202110850601.1 申请日: 2021-07-27
公开(公告)号: CN113922636A 公开(公告)日: 2022-01-11
发明(设计)人: 郭仲杰;刘申;李青;曹喜涛;韩晓;王杨乐;李逸江 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 刘娜
地址: 710048 陕*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: dc 转换器 大带载 能力 斜坡 补偿 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种用于DC-DC转换器的大带载能力斜坡补偿电路,其特征在于,包括运算放大器OP,所述运算放大器OP输出端通过源跟随器M2连接电阻R1、MOS管M4漏极,所述电阻R1连接采样单元一端,所述采样单元另一端接地,所述运算放大器OP正极输入端口接入斜坡补偿电压VSLOPE,所述运算放大器OP负极输入端口连接MOS管M4漏极,所述MOS管M4栅极接入电流偏置电压VBIAS2,所述MOS管M4源极接地。

2.根据权利要求1所述一种用于DC-DC转换器的大带载能力斜坡补偿电路,其特征在于,所述采样单元包括依次连接的偏置电流管M1、电感L、电流采样模块、MOS管M3的漏极,所述偏置电流管M1、MOS管M3栅极均连接电阻R1,所述MOS管M3源极接地。

3.根据权利要求2所述一种用于DC-DC转换器的大带载能力斜坡补偿电路,其特征在于,所述电阻R1为调节电阻,所述电阻R1通过调节MOS管M3的栅极电压使MOS管M3导通电阻与栅极电压变化成线性关系。

4.根据权利要求2所述一种用于DC-DC转换器的大带载能力斜坡补偿电路,其特征在于,所述偏置电流管M1为PMOS管,所述PMOS管漏极连接电阻R1,所述PMOS管栅极接入电流偏置电压VBIAS1,所述PMOS管源极连接输入电压VIN、电感L。

5.根据权利要求1所述一种用于DC-DC转换器的大带载能力斜坡补偿电路,其特征在于,所述偏置电流管M1连接控制电流恒定的电流镜,所述电阻R1和源跟随器M2的电流恒定。

6.根据权利要求1所述一种用于DC-DC转换器的大带载能力斜坡补偿电路,其特征在于,所述源跟随器M2为MOS管,所述源跟随器M2栅极连接运算放大器OP输出端,所述源跟随器M2漏极连接电阻R1,所述源跟随器M2源极连接MOS管M4漏极。

7.一种用于DC-DC转换器的大带载能力斜坡补偿方法,其特征在于,具体过程如下:

调节斜坡补偿电压VSLOPE,在偏置电流不变的条件下,MOS管M3的栅压也会相应跟随斜坡补偿电压VSLOPE产生变化,MOS管M3在电阻R1的调节下导通电阻受其栅极电压的控制发生线性变化,采样电流模块采集电路中的电流Isense,MOS管M3的源极与漏极之间电压为Vsense,在Vsense保持固定时,动态调整电路的Isense,提升系统的带载能力。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安理工大学,未经西安理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110850601.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top