[发明专利]碳化硅晶碇的制造方法在审
| 申请号： | 202110850977.2 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113981529A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 林钦山 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B23/06;C30B29/36;C30B28/12 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋兴;刘芳 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 制造 方法 | ||
1.一种碳化硅晶碇的制造方法，包括：
提供包含碳元素以及硅元素的原料以及位于所述原料上方的晶种于反应器内，其中所述晶种的第一面朝向所述原料；
加热所述反应器以及所述原料，其中部分所述原料被气化后传输至所述晶种的所述第一面以及所述晶种的侧壁上并形成碳化硅材料于所述晶种上，以形成包含所述晶种以及所述碳化硅材料的成长体，其中所述成长体沿着所述晶种的径向生长，且所述成长体沿着垂直所述晶种的所述第一面的方向上生长；以及
冷却所述反应器以及所述原料，以获得生长完的所述成长体，其中生长完的所述成长体为碳化硅晶碇，且所述碳化硅晶碇的直径大于所述晶种的直径。
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶碇的制造方法，其特征在于，所述晶种的直径为D1，所述碳化硅晶碇的直径为D2，D1:D2为1:8至7.5:8。
3.根据权利要求1所述的碳化硅晶碇的制造方法，其特征在于，在所述成长体的生长过程中，在所述成长体的径向上，所述成长体具有1℃/cm至30℃/cm的温度梯度。
4.根据权利要求1所述的碳化硅晶碇的制造方法，其特征在于，在所述成长体的生长过程中，在所述成长体的径向上，所述成长体具有3℃/cm至5℃/cm的温度梯度。
5.根据权利要求1所述的碳化硅晶碇的制造方法，其特征在于，所述晶种的厚度大于0.2毫米。
6.根据权利要求1所述的碳化硅晶碇的制造方法，其特征在于，所述晶种的直径为25毫米至250毫米。
7.根据权利要求1所述的碳化硅晶碇的制造方法，其特征在于，所述晶种的所述第一面为碳化硅的基面(0001)。
8.根据权利要求1所述的碳化硅晶碇的制造方法，其特征在于，所述碳化硅晶碇的贯穿螺旋差排的密度小于100个/平方厘米。
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