[发明专利]一种半导体衬底、半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体衬底，其特征在于，包括底部半导体层、依次位于所述底部半导体层上的埋入绝缘层、背栅层、背栅氧化层和顶部半导体层；

所述背栅层包括半导体层和/或功函数层。

2.根据权利要求1所述的半导体衬底，其特征在于，所述背栅层包括半导体层，所述背栅层还包括多个功能区，不同功能区的半导体层的掺杂浓度和/或掺杂类型不同。

3.根据权利要求1所述的半导体衬底，其特征在于，所述背栅层包括功函数层，所述背栅层还包括多个功能区，不同功能区的功函数层的功函数值不同。

4.根据权利要求1所述的半导体衬底，其特征在于，所述半导体层包括多晶硅层；所述功函数层包括金属层。

5.根据权利要求1所述的半导体衬底，其特征在于，所述背栅氧化层的材料为高k材料。

6.一种半导体衬底的制作方法，其特征在于，应用于权利要求1～5任一项所述的半导体衬底，所述方法包括：

在底部半导体层上形成埋入绝缘层；

在所述埋入绝缘层上形成背栅层，所述背栅层包括半导体层和/或功函数层；

在所述背栅层上依次形成背栅氧化层和顶部半导体层。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述背栅层包括半导体层，所述背栅层还包括多个功能区，则在所述埋入绝缘层上形成背栅层包括：

在所述埋入绝缘层上形成半导体层；

对所述半导体层进行掺杂，使不同功能区的半导体层的掺杂浓度和/或掺杂类型不同。

8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述背栅层包括功函数层，所述背栅层还包括多个功能区，则在所述埋入绝缘层上形成背栅层包括：

在不同功能区的埋入绝缘层上形成功函数值不同的功函数层。

9.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，在所述背栅氧化层上形成顶部半导体层包括：

将半导体片与所述半导体衬底具有背栅氧化层的一侧键合；

对所述半导体片进行减薄处理，形成所述顶部半导体层。

10.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，在所述背栅氧化层上形成顶部半导体层包括：

采用起泡离子注入工艺在半导体片一定深度处形成剥离层；

将所述半导体片与所述半导体衬底具有背栅氧化层的一侧键合；

通过所述剥离层使所述半导体片开裂形成所述顶部半导体层。

11.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底为权利要求1～5任一项所述的半导体衬底；

位于所述半导体衬底上的栅介质层、栅极、源极和漏极，所述源极和所述漏极分别位于所述栅极两侧，且所述源极和所述漏极至少部分位于所述半导体衬底的顶部半导体层内。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底的背栅层包括多个功能区，所述半导体衬底上具有多个晶体管单元以及隔离结构；

不同的晶体管单元位于不同的功能区，所述隔离结构位于相邻的晶体管单元之间；

任一所述晶体管单元都包括位于所述半导体衬底上的栅极、源极和漏极，且不同的晶体管单元具有不同的阈值电压。

13.根据权利要求11或12所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底的背栅层与偏置电压输入端电连接。