[发明专利]碳化硅材料的制备方法在审
| 申请号： | 202110852661.7 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113990752A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 林钦山 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋兴;黄健 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 材料 制备 方法 | ||
1.一种碳化硅材料的制备方法，其特征在于，包括：
对于晶片或晶体执行第一退火工艺，其中所述第一退火工艺的条件包括：
使用10℃/分至30℃/分的升温速率，于2000℃以下的退火温度及大于2分钟且小于4小时的恒温退火时间执行所述第一退火工艺，
其中在执行所述第一退火工艺之后，所述晶片或所述晶体的平均电阻率大于1010Ω·cm。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，是对于所述晶体执行所述第一退火工艺，且所述晶体切割后形成的所述晶片的平均电阻率大于1010Ω·cm。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述的方法还包括对于切割后形成的所述晶片进行抛光后再执行第二退火工艺，其中所述第二退火工艺的条件包括：
使用10℃/分至30℃/分的升温速率，于2000℃以下的退火温度及大于2分钟且小于4小时的恒温退火时间执行所述第二退火工艺。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，是对于所述晶片执行所述第一退火工艺，且是在对所述晶片进行抛光后再执行所述第一退火工艺。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火温度的范围为1950℃至2000℃。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火温度为1950℃至1980℃。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述升温速率为25℃/分至30℃/分，且所述晶片或所述晶体中平均电阻率大于5*1011Ω·cm的部分占所述晶片或所述晶体的面积的100％。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述升温速率为22℃/分至26℃/分，且所述晶片或所述晶体中平均电阻率大于1011Ω·cm的部分占所述晶片或所述晶体的面积的100％。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述升温速率为20℃/分至24℃/分，且所述晶片或所述晶体中平均电阻率大于5*1010Ω·cm的部分占所述晶片或所述晶体的面积的100％。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述升温速率为10℃/分至20℃/分，且所述晶片或所述晶体中平均电阻率大于1010Ω·cm的部分占所述晶片或所述晶体的面积的100％。
11.一种碳化硅材料，所述碳化硅材料包括晶片或是晶体，且所述晶片或所述晶体中平均电阻率大于1010Ω·cm的部分占所述晶片或所述晶体的面积的100％。
12.根据权利要求11所述的碳化硅材料，其特征在于，所述晶片或所述晶体中平均电阻率大于5*1010Ω·cm的部分占所述晶片或所述晶体的面积的100％。
13.根据权利要求11所述的碳化硅材料，其特征在于，所述晶片或所述晶体中平均电阻率大于1011Ω·cm的部分占所述晶片或所述晶体的面积的100％。
14.根据权利要求11所述的碳化硅材料，其特征在于，所述晶片或所述晶体中平均电阻率大于5*1011Ω·cm的部分占所述晶片或所述晶体的面积的100％。
15.根据权利要求11所述的碳化硅材料，其特征在于，所述晶片或所述晶体的毁损率小于5％。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
