[发明专利]一种基于自旋波衍射效应的探测界面DM作用强度的方法有效
| 申请号： | 202110854339.8 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113589205B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 谢丽娜;沈茂康;聂彦;张悦;王韬;王鲜 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G01R33/12 | 分类号： | G01R33/12 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 夏倩 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 自旋 衍射 效应 探测 界面 dm 作用 强度 方法 | ||
1.一种基于自旋波衍射效应的探测界面DM作用强度的方法，其特征在于，包括：
S1.在能产生衍射条纹的平面波导上激发自旋波，使得激发的自旋波通过镂空结构传播并发生衍射；所述平面波导由能够产生自旋波的波导材料构成；
S2.根据背向体波中最强衍射束偏转角β的正弦值计算得到DM作用的强度；所述最强衍射束的偏转角为最强衍射束的方向与背向体波磁矩方向的夹角；所述最强衍射束指衍射强度最强的衍射束；所述背向体波为薄膜在面内被磁化且磁矩平行于自旋波波矢时的自旋波模式；最强衍射束的偏转角β的正弦值与界面DM作用强度D的关系为：
A表示磁性材料的交换常数，k0为入射波的波数。
2.根据权利要求1所述的一种基于自旋波衍射效应的探测界面DM作用强度的方法，其特征在于，所述平面波导的长和宽至少是自旋波波长的十倍。
3.根据权利要求2所述的一种基于自旋波衍射效应的探测界面DM作用强度的方法，其特征在于，所述平面波导为H型镂空结构，其中间实体部分的长度d与自旋波波长的关系遵循光波的衍射原理里对狭缝长度与宽度的要求。
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种基于自旋波衍射效应的探测界面DM作用强度的方法，其特征在于，所述波导材料为坡莫合金、铁、钴、镍或YIG。
5.根据权利要求4所述的一种基于自旋波衍射效应的探测界面DM作用强度的方法，其特征在于，所述平面波导设置有边界吸收层；所述边界吸收层采用阻尼因子至少大于波导材料阻尼因子一个数量级的铁磁材料构成。
6.根据权利要求1所述的一种基于自旋波衍射效应的探测界面DM作用强度的方法，其特征在于，采用微波磁场、超短激光脉冲或者自旋极化电流作为激励场，在恒定磁场下激发背向体波。
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