[发明专利]一种射频预失真线性化电路及射频功率放大器在审
| 申请号： | 202110854856.5 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113489461A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 李镇兵;李泽华;孙浩洋;文光俊 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03F1/32 | 分类号： | H03F1/32;H03F3/19;H03F3/21 |
| 代理公司： | 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 | 代理人： | 王伟 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 射频 失真 线性化 电路 功率放大器 | ||
1.一种射频功率放大器的射频预失真线性化电路，具体包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电容、第一电阻、第二电阻、偏置电源和参考电源；其中，第一晶体管的基极与第一电阻的一端相连接，作为所述射频预失真线性化电路的输入端，第一电阻的另一端与第二晶体管的发射极相连，第二晶体管的集电极连接到偏置电源；第一电容的一端与第二晶体管的基极、第三晶体管的基极及集电极、第二电阻的一端连接在一起，第二电阻的另一端连接到参考电源；第三晶体管的发射极与第四晶体管的基极和集电极相连，第四晶体管的发射极连接到地；第一晶体管的发射极连接到地，第一晶体管的集电极作为所述射频预失真线性化电路的输出端。
2.根据权利要求1所述的射频预失真线性化电路，其特征在于，所述的晶体管具体为HBT异质结双极型晶体管。
3.根据权利要求2所述的射频预失真线性化电路，其特征在于，所述的第二晶体管具体为单枚发射极宽度3μm、长度40μm，集电极宽度4μm、指数为4的HBT晶体管，所述第三晶体管具体为单枚发射极宽度2μm、长度10μm，集电极宽度4μm、指数为1的HBT晶体管。
4.根据权利要求3所述的射频预失真线性化电路，其特征在于，所述第四晶体管具体为单枚发射极宽度2μm、长度10μm，集电极宽度4μm、指数为1的HBT晶体管。
5.一种射频功率放大器，包括权利要求1-5任一项权利要求所述的射频预失真线性化电路。
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