[发明专利]半导体封装体和用于制造半导体封装体的方法在审
申请号: | 202110856559.4 | 申请日: | 2021-07-28 |
公开(公告)号: | CN114005797A | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | K·C·A·苏;张超发;N·莫尔班 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 周家新 |
地址: | 德国瑙伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 用于 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装体,包括:
半导体裸片,
包封半导体裸片的包封物,所述包封物包括第一侧和相反的第二侧,
用于电接触半导体裸片的多个接触焊盘,所述接触焊盘布置在所述包封物的第一侧,和
多个检查孔,其被布置成与所述接触焊盘连通并且从第一侧延伸到第二侧,使得能够从包封物的第二侧通过使用检查孔观察而对包封物的第一侧的焊料接合部进行光学检查。
2.根据权利要求1所述的半导体封装体,其中,所述半导体封装体还包括:
布置在检查孔中的镀层。
3.根据权利要求2所述的半导体封装体,其中,每个检查孔中的镀层与相应的接触焊盘邻接。
4.根据权利要求2或3所述的半导体封装体,其中,所述包封物包括模制体。
5.根据权利要求4所述的半导体封装体,其中,所述模制体包括激光可激活的聚合物组合物,所述镀层布置在模制体上的激光激活区域上。
6.根据权利要求4或5所述的半导体封装体,其中,所述包封物还包括层合物,所述接触焊盘布置在所述层合物上,所述检查孔延伸穿过所述模制体并穿过所述层合物。
7.根据前述权利要求中任一项所述的半导体封装体,其中,所述半导体封装体还包括:
再分布层,其将半导体裸片电连接到接触焊盘,其中,检查孔不是再分布层的一部分。
8.根据前述权利要求中任一项所述的半导体封装体,其中,所述包封物包括连接所述第一侧和所述第二侧的侧向侧,所述接触焊盘中的第一接触焊盘沿所述侧向侧布置,所述接触焊盘中的第二接触焊盘布置成与侧向侧间隔开,所述检查孔仅布置在所述接触焊盘中的第二接触焊盘的上方。
9.根据前述权利要求中任一项所述的半导体封装体,其中,每个检查孔沿着相应的接触焊盘的边缘布置。
10.根据前述权利要求中任一项所述的半导体封装体,其中,在包括所述包封物的第一侧或第二侧的平面中测量,所述检查孔具有至少100μm的直径。
11.一种用于制造半导体封装体的方法,所述方法包括:
提供半导体裸片,
将半导体裸片包封在包封物中,所述包封物包括第一侧和相反的第二侧,
在包封物的第一侧布置用于电接触半导体裸片的多个接触焊盘,和
在包封物中布置与接触焊盘连通的多个检查孔,所述检查孔从第一侧延伸到第二侧,使得能够从包封物的第二侧通过使用检查孔观察而对包封物的第一侧的焊料接合部进行光学检查。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述包封物包括激光可激活的聚合物组合物,所述方法还包括:
使用激光照射检查孔内的包封物,以制造激光激活区域,和
在激光激活区域之上镀覆,以在检查孔中制造镀层。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,在同一镀覆过程中制造所述接触焊盘和所述镀层。
14.根据权利要求11-13中任一项所述的方法,其中,通过激光钻孔穿过所述包封物来制造所述检查孔。
15.根据权利要求11-13中任一项所述的方法,其中,包封所述半导体裸片包括模制,其中,通过使用结构化模制工具模制来制造所述检查孔。
16.根据权利要求11-15中任一项所述的方法,其中,每个检查孔沿着相应的接触焊盘的边缘布置。
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