[发明专利]阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置

说明书

本公开提供一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置，属于显示技术领域。本公开的阵列基板的制备方法包括：在基底上形成第一导电层；在第一导电层背离基底的一侧形成第二导电层；在第二导电层上涂覆光刻胶层，对光刻胶层进行曝光和显影，得到光刻胶的第一保留部分；通过构图工艺形成第一导电图案，以第一导电图案作为掩膜对第一导电层进行刻蚀，得到第二导电图案；对光刻胶的第一保留部分进行灰化处理，得到光刻胶的第二保留部分；以光刻胶的第二保留部分作为掩膜，对第一导电图案进行刻蚀，得到第三导电图案。

技术领域

本公开属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板的阵列基板的制备方法、 阵列基板和显示装置。

背景技术

TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管-液晶显示 器)作为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相 对较低等特点，而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。

发明内容

本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种阵列基板 的制备方法、阵列基板和显示装置。

第一方面，本公开实施例提供一种阵列基板的制备方法，包括：

在基底上形成第一导电层；

在所述第一导电层背离所述基底的一侧形成第二导电层；

在所述第二导电层上涂覆光刻胶层，对所述光刻胶层进行曝光和显影，得 到光刻胶的第一保留部分；

通过构图工艺形成第一导电图案，以第一导电图案作为掩膜对第一导电层 进行刻蚀，得到第二导电图案；

对所述光刻胶的第一保留部分进行灰化处理，得到光刻胶的第二保留部分；

以光刻胶的第二保留部分作为掩膜，对第一导电图案进行刻蚀，得到第三 导电图案；其中，所述第二导电图案在基底上的正投影覆盖所述第三导电图案 在所述基底上的正投影。

可选地，在基底上形成第一导电层的步骤之前还包括：

在基底上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层背离所述基底的一侧形成第二绝缘层。

可选地，所述阵列基板包括交叉设置的多条栅线和多条数据线，以及多个 子像素，所述子像素包括薄膜晶体管、像素电极和公共电极；

在形成所述第三导电图案的同时还形成有所述栅线和所述薄膜晶体管的栅 极；

在形成所述第二导电图案的同时还形成有所述公共电极。

可选地，在以光刻胶的第二保留部分作为掩膜，对第二导电图案进行刻蚀， 得到第三导电图案之后，还包括：

在所述第三导电图案背离所述基底的一侧形成第三绝缘层；

通过构图工艺在所述第三绝缘层上形成过孔，所述过孔出露出部分第二导 电图案；

在所述第三绝缘层背离所述基底的一侧形成第三电极层，通过构图工艺形 成第四导电图案，所述第四导电图案通过所述过孔与所述第二导电图案电连接。

可选地，所述阵列基板包括交叉设置的多条栅线和多条数据线，以及多个 子像素，所述子像素包括薄膜晶体管、像素电极和公共电极；

在形成所述第四导电图案的同时还形成有所述像素电极。