[发明专利]去除静电聚集的显影方法

权利要求书

1.一种去除静电聚集的显影方法，其特征在于，所述去除静电聚集的显影方法包括以下步骤：

向曝光后的基片表面喷淋预润液，使得所述基片上的光刻胶层进行预润湿；

使得预润湿后的基片以第一转速高速旋转，向以所述第一转速高速旋转的基片光刻胶层上喷淋显影液，使得所述显影液与所述基片感光区的光刻胶层发生反应；

使得喷淋显影液后的基片以第二转速高速旋转，向以所述第二转速高速旋转的基片光刻胶层上喷淋清洗液，使得所述清洗液去除反应后的显影液，和残留在所述感光区中的光刻胶；

使得清洗后的基片以第三转速低速旋转，向以所述第三转速低速旋转的基片上喷淋去离子水，使得所述去离子水带走所述基片表面形成的静电电荷；

甩干所述基片表面的去离子水。

2.如权利要求1所述的去除静电聚集的显影方法，其特征在于，所述使得预润湿后的基片以第一转速高速旋转，向以所述第一转速高速旋转的基片光刻胶层上喷淋显影液，使得所述显影液与所述基片感光区的光刻胶层发生反应的步骤，包括：

使得预润湿后的基片以1000转/分钟～2000转/分钟的第一转速进行高速旋转；

向以1000转/分钟～2000转/分钟的第一转速，进行高速旋转的基片中心位置处的光刻胶层上，喷淋显影液；

使得喷淋所述显影液的基片保持所述第一转速5秒～30秒的时长，使得所述显影液与所述基片感光区的光刻胶层发生反应。

3.如权利要求2所述的去除静电聚集的显影方法，其特征在于，向以1000转/分钟～2000转/分钟的第一转速，进行高速旋转的基片中心位置处的光刻胶层上，喷淋显影液的步骤，包括：

向以1000转/分钟～2000转/分钟的第一转速，进行高速旋转的基片中心位置处的光刻胶层上，持续5秒～20秒的时长喷淋流速为200毫升/分钟～500毫升/分钟的显影液。

4.如权利要求1所述的去除静电聚集的显影方法，其特征在于，所述使得喷淋显影液后的基片以第二转速高速旋转，向以所述第二转速高速旋转的基片光刻胶层上喷淋清洗液，使得所述清洗液清洗去反应后的显影液，和残留在所述感光区中的光刻胶的步骤，包括：

使得显影后的基片以1500转/分钟至2500转/分钟的第二转速进行高速旋转；

向以1500转/分钟至2500转/分钟的第二转速，进行高速旋转的基片光刻胶层上喷淋清洗液；

使得喷淋所述清洗液的基片保持所述第二转速15秒～40秒的时长，使得所述清洗液清洗去反应后的显影液，和残留在所述感光区中的光刻胶。

5.如权利要求4所述的去除静电聚集的显影方法，其特征在于，所述向以1500至2500转/分钟的第二转速，进行高速旋转的基片光刻胶层上喷淋清洗液的步骤，包括：

所述向以1500至2500转/分钟的第二转速，进行高速旋转的基片光刻胶层上，持续15秒～40秒的时长喷淋流速为800毫升/分钟～1100毫升/分钟的清洗液。

6.如权利要求1所述的去除静电聚集的显影方法，其特征在于，所述使得清洗后的基片以第三转速低速旋转，向以所述第三转速低速旋转的基片上喷淋去离子水，使得所述去离子水带走所述基片表面形成的静电电荷的步骤，包括：

使得清洗后的基片以50至100转/分钟的第三转速低速旋转；

向以50至100转/分钟的第三转速，进行低速旋转的基片上喷淋去离子水；

使得所述去离子水带走所述基片表面形成的静电电荷。

7.如权利要求6所述的去除静电聚集的显影方法，其特征在于，所述向以50至100转/分钟的第三转速，进行低速旋转的基片上喷淋去离子水的步骤，包括：

向以50至100转/分钟的第三转速，进行低速旋转的基片上，持续5秒～15秒的时长喷淋流速为800毫升/分钟～1100毫升/分钟的去离子水。

8.如权利要求1所述的去除静电聚集的显影方法，其特征在于，所述甩干所述基片表面的去离子水的步骤，包括：

使得所述基片持续5秒～15秒的时长以1200转/分钟～2500转/分钟的转速旋转，甩干所述基片表面的去离子水。