[发明专利]一种基准源电路及芯片

权利要求书

1.一种基准源电路，其特征在于，包括：

电流产生电路，用于产生正温度系数电流及负温度系数电流；

电压产生电路，与所述电流产生电路连接，用于根据所述正温度系数电流及所述负温度系数电流，产生零温度系数电压；

电流镜电路，与所述电流产生电路连接，用于根据所述正温度系数电流和/或所述负温度系数电流，产生基准电流；

模拟电压产生电路，与所述电流产生电路连接，用于镜像所述正温度系数电流，并基于所述正温度系数电流，产生模拟基准电压；

线性稳压电路，分别与所述电流产生电路及所述电压产生电路连接，用于镜像所述正温度系数电流，并根据所述正温度系数电流，钳位输出所述零温度系数电压。

2.根据权利要求1所述的基准源电路，其特征在于，所述电流产生电路包括：

第一电流镜单元，用于产生互为镜像关系的第一镜像电流与第二镜像电流；

电流产生单元，与所述第一电流镜单元连接，用于根据所述第一镜像电流与第二镜像电流，产生正温度系数电流及负温度系数电流。

3.根据权利要求2所述的基准源电路，其特征在于，所述电流产生单元包括：

第一正温度系数电路，与所述第一电流镜单元连接，用于根据所述第一镜像电流，产生第一正温度系数电流；

第二正温度系数电路，分别与第一正温度系数电路及所述第一电流镜单元连接，用于根据所述第二镜像电流，产生第二正温度系数电流；

负温度系数电路，分别与所述电流镜电路、所述第一电流镜单元及所述第一温度系数电路连接，用于产生负温度系数电流。

4.根据权利要求3所述的基准源电路，其特征在于，所述第一电流镜单元包括第一PMOS管及第二PMOS管；

所述第一PMOS管的源极及所述第二PMOS管的源极均用于与给定电源连接，所述第一PMOS管的栅极分别与所述第二PMOS管的栅极及所述第二PMOS管的漏极连接，所述第一PMOS管的漏极分别与所述第一正温度系数电路及所述负温度系数电路连接，所述第二PMOS管的漏极与所述第二正温度系数电路连接。

5.根据权利要求4所述的基准源电路，其特征在于，所述第一正温度系数电路包括第一NPN型三极管；

所述第一NPN型三级管的集电极分别与所述第一PMOS管的漏极及所述负温度系数电路连接，所述第一NPN型三极管的基极分别与所述第二正温度系数电路及所述负温度系数电路连接，所述第一NPN型三极管的发射极分别与第二正温度系数电路、所述负温度系数电路及所述电压产生电路连接。

6.根据权利要求4所述的基准源电路，其特征在于，所述第二正温度系数电路包括第二NPN型三极管及第一电阻；

所述第二NPN型三极管的集电极与所述第二PMOS管的漏极连接，所述NPN型三极管的基极分别与所述第一NPN型三极管的基极及所述负温度系数电路连接，所述第一NPN型三极管的发射极与所述第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端与所述第一NPN型三极管的发射极连接。

7.根据权利要求4所述的基准源电路，其特征在于，所述负温度系数电路包括第一NMOS管及第二电阻；

所述第一NMOS管的栅极与所述第一NPN型三极管的集电极连接，所述第一NMOS管的漏极与所述电流镜电路连接，所述第一NMOS管的源极分别与所述第二电阻的一端及所述第一NPN型三极管的基极连接，所述第二电阻的另一端与所述第一NPN型三极管的发射极连接。

8.根据权利要求4所述的基准源电路，其特征在于，所述电压产生电路包括第三电阻；

所述第三电阻的一端与所述第一NPN型三极管的发射极连接，所述第三电阻的另一端接地。

9.根据权利要求4所述的基准源电路，其特征在于，所述基准电流包括正温度系数基准电流，所述电流镜电路包括第三PMOS管；

所述第三PMOS管的源极用于与给定电源连接，所述第三PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接，所述第三PMOS管的漏极用于输出所述正温度系数基准电流。