[发明专利]一种废晶圆表面膜剥离再生处理工艺及其装置有效
申请号: | 202110858667.5 | 申请日: | 2021-07-28 |
公开(公告)号: | CN113471067B | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 贺贤汉;原英樹;杉原一男;佐藤泰幸 | 申请(专利权)人: | 上海申和投资有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 铜陵市天成专利事务所(普通合伙) 34105 | 代理人: | 李坤 |
地址: | 201900 上海市宝*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 废晶圆 表面 剥离 再生 处理 工艺 及其 装置 | ||
1.一种废晶圆表面膜剥离再生处理工艺,其特征在于,所述工艺用于多个再生晶圆双面处理装置,该装置包括可高速旋转的载晶盘(1)和夹持在载晶盘(1)两侧的研磨抛光装置(2),载晶盘(1)的盘根上设有腐蚀试剂喷嘴(4)、抛光油喷嘴(5)和清洗液喷嘴(6),载晶盘(1)的周向上设有废液回收装置(7),该工艺具体包括如下步骤:
步骤1)、在再生晶圆两侧表面形成一层流动的化学腐蚀试剂薄膜,对再生晶圆表面的氧化膜进行化学腐蚀;
步骤2)、在步骤1)完成后,在再生晶圆两侧表面形成一层流动的研磨抛光油膜,对再生晶圆表面的氧化膜进行研磨剥离;
步骤3)、在步骤2)完成后,在再生晶圆两侧表面形成一层流动的清洗液膜,对再生晶圆表面剥离下的氧化膜进行清洗。
2.根据权利要求1所述的一种废晶圆表面膜剥离再生处理工艺,其特征在于,所述研磨抛光装置(2)呈环形状,所述载晶盘(1)呈圆盘状,所述载晶盘(1)与研磨抛光装置(2)相适配,所述载晶盘(1)沿周向设有多个放置晶圆的工位(3)。
3.根据权利要求1或2所述的一种废晶圆表面膜剥离再生处理工艺,其特征在于,所述研磨抛光装置(2)的研磨抛光面上设有交错,且连通的浅槽。
4.根据权利要求1所述的一种废晶圆表面膜剥离再生处理工艺,其特征在于,所述步骤1)和3)中,所述研磨抛光装置(2)的抛光面与载晶盘(1)之间均设有间距,其间距不大于晶圆厚度。
5.根据权利要求1所述的一种废晶圆表面膜剥离再生处理工艺,其特征在于,所述步骤1)中设有腐蚀液处理循环系统,所述腐蚀液处理循环系统包括废液存储罐(8)、浓度调节罐(9)、试剂存储罐(10)和第一输液泵(11),所述废液存储罐(8)、浓度调节罐(9)、试剂存储罐(10)和第一输液泵(11)通过管件串连在废液回收装置(7)与腐蚀试剂喷嘴(4)之间,所述浓度调节罐(9)上设有用于腐蚀化学试剂的添加装置(12)。
6.根据权利要求5所述的一种废晶圆表面膜剥离再生处理工艺,其特征在于,所述废液存储罐(8)、浓度调节罐(9)、试剂存储罐(10)呈梯度排布,且废液存储罐(8)、浓度调节罐(9)、试剂存储罐(10)之间均设有控制阀。
7.根据权利要求1所述的一种废晶圆表面膜剥离再生处理工艺,其特征在于,所述步骤2)中设有回油处理循环系统,所述回油处理循环系统包括离心分离机(13)和第二输液泵(14),所述离心分离机(13)和第二输液泵(14)通过管件串连在废液回收装置(7)与抛光油喷嘴(5)之间。
8.根据权利要求7所述的一种废晶圆表面膜剥离再生处理工艺,其特征在于,所述第二输液泵(14)的入液端还设有过滤装置(15) ,所述过滤装置(15)内置可更换的滤芯。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造