[发明专利]一种轧膜成型工艺生产氮化物陶瓷基板的方法

权利要求书

1.一种轧膜成型工艺生产氮化物陶瓷基板的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、配料：将氮化硅粉、烧结助剂、聚乙烯醇粘合剂、ZS-1071耐高温无机粘合剂，用球磨方式进行第一次混合；所述烧结助剂为稀土氧化物和氧化镁的混合物，稀土氧化物和氧化镁的质量比为1:0.5～1:3；所述烧结助剂和氮化硅粉的质量比为1:10～1:40，所述ZS-1071耐高温无机粘合剂由无机纳米材料经缩聚反应制成，ZS-1071耐高温无机粘合剂和氮化硅粉的质量比为1:100～1:500；

S2，混炼：采用混炼机进行混炼，ZS-1071耐高温无机粘合剂与氮化硅粉均匀混合；

S3，脱泡：将浆料倒入容器，置于真空脱泡机中进行脱泡处理；

S4，将脱泡处理后的浆料用流延成型的方法制备出薄片状素坯；

S5，将薄片状素坯置于排胶炉中进行排胶处理；

S6、粗轧：将步骤S5所得坯料置将于两辊粗轧机上正转，转速调节为5r/min～8r/min，经过折迭、倒向、反复进行粗轧，坯料轧至表面不黏手、不粘辊、无气泡、然后修去边缘裂口；

S7、中轧：将步骤S5所得坯片经过中轧机辊轧；

S8、在坯片的表面涂抹纳米陶瓷粉；

S9、精轧：采用两台两辊轧膜机级联进行精轧，两台两辊精轧机正转，精轧机一辊筒速比为1:1.5～2，精轧机二辊筒速比为1:1～1.3，所述精轧机的辊距调节至0.2-5mm；

S10、将排胶后的素坯置于高温烧结炉中进行烧结，得到氮化硅陶瓷基板；在高温烧结前先在真空条件下，加热至1000～1400℃后，保温3～5小时；然后，在1～10MPa的氮气压力下，继续加热至1800～1900℃，保温5～20小时烧结而成；

S11、然后根据需求对胚料进行裁切得到所需大小的坯片；

S12、然后在胚体的表面钻上通道孔，采用通过磁控溅射，图形化光刻，干法湿法蚀刻，电镀加厚工艺，在陶瓷基板上制作出超细线条电路图形。

2.根据权利要求1所述一种轧膜成型工艺生产氮化物陶瓷基板的方法，其特征在于，所述的步骤S6包括以下步骤：打开混炼机，调节转速为8r/min～15r/min，将步骤S1所得浆料用料铲加入运转中的混炼机的轧辊上，将接料桶置于出料口处，循环碾压10次～15次。

3.根据权利要求1所述一种轧膜成型工艺生产氮化物陶瓷基板的方法，其特征在于，所述的步骤S7包括以下步骤：打开两辊中轧机，压延机正转，调节转速为15r/min～25r/min，两侧辊距调至8mm，将坯片一端垂直放入两辊筒中间，从另一端辊筒上拉出坯片，再倒向后垂直放入压延机两轧辊间碾压，重复操作3次～5次。

4.根据权利要求1所述一种轧膜成型工艺生产氮化物陶瓷基板的方法，其特征在于，所述S7的步骤包括以下步骤：将中轧二所得坯片在第一精轧机上轧膜2次～3次，测量厚度。

5.根据权利要求1所述一种轧膜成型工艺生产氮化物陶瓷基板的方法，其特征在于，所述聚乙烯醇粘合剂通过将17-88型聚乙烯醇18份、去离子水73份、甘油2份和无水乙醇7份倒入搅拌机中搅拌形成混合液，同时加热到90℃，待17-88型聚乙烯醇完全溶解，将上述混合液趁热过40目筛制得。

6.根据权利要求1所述一种轧膜成型工艺生产氮化物陶瓷基板的方法，其特征在于，所述排胶处理为在真空条件下，在400～600℃的温度下，保温5～10小时。