[发明专利]一种高导热高强度氮化物陶瓷基板的制作方法

权利要求书

1.一种高导热高强度氮化物陶瓷基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、将氮化硅粉、烧结助剂、巴基管、磷酸三乙酯和溶剂，用球磨方式进行第一次混合；

所述烧结助剂为稀土氧化物和氧化镁的混合物，稀土氧化物和氧化镁的质量比为1:0.5-1:3；

烧结助剂和氮化硅粉的质量比为1:10-1:40；

S2、将第一次混合之后浆料烘干后，再次进行研磨过筛，然后加入浓度为5％的聚乙烯醇溶液和聚乙二醇，用球磨方式进行研磨混合，得到浆料；

S3、将浆料置于自封设备中进行陈腐，陈腐时间为24h；

S4、将陈腐后的浆料倒入容器，置于真空脱泡机中进行脱泡处理；

S5、将脱泡处理后的浆料用流延成型的方法制备出薄片状素坯；

S6、将薄片状素坯置于排胶炉中进行排胶处理；

S7、将排胶后的素坯置于高温烧结炉中进行烧结，得到氮化硅陶瓷基板；

高温烧结需在真空条件下进行：

1)0℃-200℃为低温升温阶段，此时的升温速率为1℃-3℃/min；

2)200℃-1300℃的升温速率为5℃/min；

3)加热至1300℃-1500℃时，保温1-5h；

4)在10MPa的氮气压力下，加热至1900℃，保温5-20h；

5)1900℃-500℃为降温阶段，降温速度为5℃/min；

6)500℃-0℃为自然冷却阶段。

2.根据权利要求1所述的一种高导热高强度氮化物陶瓷基板的制作方法，其特征在于：所述巴基管和氮化硅粉的质量比为1:50-1:200。

3.根据权利要求1所述的一种高导热高强度氮化物陶瓷基板的制作方法，其特征在于：所述聚乙烯醇溶液和氮化硅粉的质量比为1:10，所述聚乙二醇和氮化硅粉的质量比为1:5-1:20，磷酸三乙酯和氮化硅粉的质量比为1:20-1:150。

4.根据权利要求2所述的一种高导热高强度氮化物陶瓷基板的制作方法，其特征在于：所述溶剂为无水乙醇和丁酮的混合溶液，无水乙醇和丁酮的质量比为1:1；溶剂与氮化硅粉的质量比为1:1-1:4。

5.根据权利要求2所述的一种高导热高强度氮化物陶瓷基板的制作方法，其特征在于：所述第一次球磨和第二次球磨的时间均为12h。

6.根据权利要求1所述的一种高导热高强度氮化物陶瓷基板的制作方法，其特征在于：所述排胶处理为在真空条件下，在400-600℃的温度下，保温1-10h。