[发明专利]半导体器件的封装焊接结构在审
| 申请号： | 202110858946.1 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113745189A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 林志东;黄治浩;魏鸿基;郭佳衢 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L29/737;H01L27/02 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 连耀忠 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 封装 焊接 结构 | ||
1.一种半导体器件的封装焊接结构，其特征在于：所述封装焊接结构设于所述半导体器件的有源区之外，包括衬底、沟道层、势垒层、第一金属层、第二金属层、第一钝化层、第三金属层、上金属层和保护层，所述沟道层设于所述衬底上的第一预设区域，所述第一金属层设于第一预设区域之外的衬底上，所述势垒层设于所述沟道层上的第二预设区域，所述第二金属设于所述势垒层上的第三预设区域，所述第一钝化层覆盖在所述沟道层、势垒层、第二金属层和第一金属层之上，所述第三金属层设于所述势垒层上方的所述第一钝化层之上，所述保护层覆盖在所述第三金属层和所述第一钝化层上方，并在所述第三金属层上方设有开口区域，所述上金属层设于所述开口区域上并凸出延伸至周边所述保护层的顶面。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的封装焊接结构，其特征在于：所述上金属层包括依次层叠的种子层和电镀金属层，所述种子层覆盖在所述开口区域的底部以及侧壁并延伸至周边所述保护层的顶面，所述电镀金属层设于所述种子层上方，填平所述开口区域并凸出于所述开口区域之上。
3.根据权利要求2所述的半导体器件的封装焊接结构，其特征在于：所述电镀金属层的厚度为3～5微米。
4.根据权利要求2所述的半导体器件的封装焊接结构，其特征在于：所述种子层包括TiW层和电镀种子层，所述TiW层的厚度为10～80埃，所述电镀种子层的厚度为1000～3500埃。
5.根据权利要求4所述的半导体器件的封装焊接结构，其特征在于：所述电镀金属层、所述电镀种子层和所述第三金属层的材质均为金。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的封装焊接结构，其特征在于：所述上金属层在所述保护层的投影边缘位于所述第三金属层上方的保护层的区域范围内。
7.根据权利要求6所述的半导体器件的封装焊接结构，其特征在于：所述上金属层在所述保护层的投影边缘与所述第三金属层上方的保护层的顶面外边缘相距0.5-2微米。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的半导体器件的封装焊接结构，其特征在于：还包括第二钝化层，所述第二钝化层设于所述沟道层与所述第一钝化层之间。
9.根据权利要求1-7中任一项所述的半导体器件的封装焊接结构，其特征在于：所述开口区域周围的所述保护层的厚度为6000～8000埃。
10.根据权利要求1-7中任一项所述的半导体器件的封装焊接结构，其特征在于：所述第一金属层的厚度为500～2000埃，所述第二金属层的厚度为1000～3000埃，所述第三金属层的厚度为3～5微米。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门市三安集成电路有限公司，未经厦门市三安集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110858946.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高强度等温贝氏体柴油机缸套制备工艺
- 下一篇：一种水土保持试验系统及方法
