[发明专利]双面散热的MOSFET封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种双面散热的MOSFET封装结构，其特征在于，包括：

芯片主体，具有处理表面与相对的背面，所述处理表面上设置有源极垫与柵极垫，所述背面上设置有漏极层;

第一散热载片，供所述芯片主体以覆晶结合方式的翻转与接合，所述芯片主体的所述源极垫与所述柵极垫分别导通到所述第一散热载片的源极岛与柵极岛;

第一封装胶体，形成在所述第一散热载片上，以密封所述芯片主体;所述第一封装胶体开设有连通到所述漏极层的第一限位孔以及在所述漏极层以外的第二限位孔,所述第二限位孔连通到所述第一散热载片的漏极岛;

第二散热载片，覆晶结合方式设置在所述第一封装胶体上，所述第二散热载片的内表面设置有相互导通的第一漏极柱与第二漏极柱，所述第二散热载片的内表面翻转朝向所述第一封装胶体，所述第一漏极柱插接于所述第一限位孔，以导通所述漏极层与所述第二散热载片;并且，所述第二漏极柱插接于所述第二限位孔，以导通所述第二散热载片与所述第一散热载片的所述漏极岛，所述第二散热载片的第二散热表面平行于封装底面。

2.根据权利要求1所述的双面散热的MOSFET封装结构，其特征在于，所述源极垫导通到所述源极岛的连接以及所述柵极垫导通到所述柵极岛的连接包括同平面的焊接;所述第一漏极柱导通至所述漏极层的连接以及所述第二漏极柱导通至所述漏极岛的连接包括高低位差的焊接或是金属柱插接的紧配合;当采用金属柱插接的紧配合，在所述第一封装胶体的上表面以及所述第一限位孔与所述第二限位孔的孔内侧壁与底部形成一层金属覆盖层,在安装所述第二散热载片之前预先使所述芯片主体的所述漏极层与所述第一散热载片的所述漏极岛电性互连。

3.根据权利要求1所述的双面散热的MOSFET封装结构，其特征在于，还包括：第二封装胶体，形成在所述第一封装胶体上，以圈围固定所述第二散热载片的周边。

4.根据权利要求3所述的双面散热的MOSFET封装结构，其特征在于，由所述第二封装胶体与所述第二散热载片共同提供一个齐平的封装顶面,与所述第一散热载片提供的封装底面相互平行。

5.根据权利要求3所述的双面散热的MOSFET封装结构，其特征在于，在所述第二封装胶体成形固化之前,所述第二散热载片相对于所述第一封装胶体为可拆卸分离。

6.根据权利要求1所述的双面散热的MOSFET封装结构，其特征在于，所述柵极岛位于所述源极岛的角隅缺口,所述漏极岛位于所述源极岛远离所述角隅缺口的侧边。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的双面散热的MOSFET封装结构，其特征在于，所述封装结构是覆晶型芯片尺寸封装(FC-CSP),所述第二散热载片的第二散热表面同时大于且覆盖所述芯片主体的所述漏极层与所述第一散热载片的所述源极岛的任一者;优选的,多个所述第一漏极柱与多个所述第二漏极柱分别排列在所述第二散热载片的内表面的个别阵列区域内,所述第二漏极柱的长度大于所述第一漏极柱的长度;更优选的,所述第一漏极柱或/与所述第二漏极柱的阵列图案定义为所述芯片主体的个别MOSFET的隐藏识别编码。